[发明专利]对布局进行分解以进行用以转移光掩模图案至光刻胶的多次图案化光刻

说明书

本揭露实施例涉及利用对布局进行分解以进行用以转移光掩模图案至光刻胶的多次图案化光刻来形成半导体装置的方法及系统及一种制造半导体装置的方法。对布局进行分解以进行用以转移光掩模图案至光刻胶的多次图案化光刻来形成半导体装置的方法包括接收代表半导体装置的布局的输入。布局包括单元的多条导电线。导电线中的第一组导电线被导电线中的第二组导电线上覆。所述方法进一步包括将第二组导电线划分成多个群组。第一群组具有与第二群组不同数目的来自所述第二组的导电线。所述方法进一步包括将被第一群组的导电线上覆的第一组中的导电线指配给第一光掩模，以及将被第二群组的导电线上覆的第一组中的导电线指配给第二光掩模及第三光掩模。

技术领域

本发明实施例是有关于一种多次图案化光刻的方法，且特别是有关于一种对布局进行分解以进行用以转移光掩模图案至光刻胶的多次图案化光刻来形成半导体装置的方法及系统及一种制造半导体装置的方法。

背景技术

光刻工艺(photolithography)是在集成电路(integrated circuit，IC)的制造中用于将光掩模的图案转移至光刻胶的技术。可接着使用光刻胶作为掩模来刻蚀衬底。

一种光刻工艺是利用单个光掩模将图案转移至光刻胶的单次图案化光刻(single-patterning lithography)。也可通过多次图案化光刻(multi-patterninglithography)利用两个或更多个光掩模将此种图案转移至光刻胶，此乃另一种光刻工艺。

发明内容

本发明实施例提供一种对布局进行分解以进行用以转移光掩模图案至光刻胶的多次图案化光刻来形成半导体装置的方法，包括接收代表半导体装置的布局的输入。所述布局包括单元的多条导电线。所述导电线中的第一组导电线被所述导电线中的第二组导电线上覆。所述方法进一步包括将所述第二组导电线划分成多个群组。第一群组具有与第二群组不同数目的来自所述第二组的导电线。所述方法进一步包括将被所述第一群组的导电线上覆的所述第一组中的导电线指配给第一光掩模，以及将被所述第二群组的导电线上覆的所述第一组中的导电线指配给第二光掩模及第三光掩模。

本发明实施例提供一种利用对布局进行分解以进行用以转移光掩模图案至光刻胶的多次图案化光刻来形成半导体装置的系统。所述系统包括：输入接收模块，被配置成接收代表半导体装置的布局的输入，所述布局包括单元的多条导电线，所述导电线中的第一组导电线被所述导电线中的第二组导电线上覆；划分模块，耦合至所述输入接收模块且被配置成将所述第二组导电线划分成多个群组，第一群组具有与第二群组不同数目的来自所述第二组的导电线；以及图案化模块，耦合至所述划分模块且被配置成以被所述第一群组的导电线上覆的所述第一组中的导电线将第一光掩模图案化、以及以被所述第二群组的导电线上覆的所述第一组中的导电线将第二光掩模及第三光掩模图案化。

本发明实施例提供一种制造半导体装置的方法。所述方法包括：以单元的第一导电线的布局将衬底的第一区域之上的第一光掩模图案化；以所述单元的第二导电线的布局将所述衬底的第二区域之上的第二光掩模图案化，其中所述衬底的所述第二区域所具有的尺寸实质上为所述衬底的所述第一区域的尺寸的两倍；以及以所述单元的第三导电线的布局将所述衬底的所述第二区域之上的第三光掩模图案化。

本发明实施例提供一种利用对布局进行分解以进行用以转移光掩模图案至光刻胶的多次图案化光刻来形成半导体装置的系统。所述系统包括：处理器；非暂时性计算机可读存储媒体；以及一组可执行指令，存储于所述非暂时性计算机可读存储媒体且可由所述处理器执行，经执行的所述一组可执行指令被配置成：接收代表半导体装置的布局的输入，所述布局包括单元的多条导电线，所述导电线中的第一组导电线被所述导电线中的第二组导电线上覆；将所述第二组导电线划分成多个群组，其中第一群组具有与第二群组不同数目的来自所述第二组的导电线；将被所述第一群组的导电线上覆的所述第一组中的导电线指配给第一光掩模；以及将被所述第二群组的导电线上覆的所述第一组中的导电线指配给第二光掩模及第三光掩模。