[发明专利]像素结构、包含所述像素结构的OLED显示屏、蒸镀掩膜版在审
申请号: | 201710294880.1 | 申请日: | 2017-04-28 |
公开(公告)号: | CN108807458A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 文国哲;余珺;胡小叙;叶訫;朱修剑 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;C23C14/04;C23C14/24 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蒸镀 掩膜版 子像素 像素结构 像素 像素单元 开口 错开排布 蒸镀膜层 偏移 长宽比 传统的 发光区 偶数行 奇数行 错开 掩膜 断裂 保证 转化 | ||
本发明提供了一种像素结构、包含所述像素结构的OLED显示屏、蒸镀掩膜版。所述像素结构中子像素的长宽比设置为小于1.5:1(即子像素的形状为正方形或接近正方形),可以保证开口最大,相应的,为了保证子像素为正方形或接近正方形,将传统的四个像素单元(12个子像素)转化为三个像素单元(9个子像素),并且,相邻的奇数行和偶数行中相同颜色的子像素的发光区相互错开,蒸镀掩膜版上的蒸镀开口是错开排布的,可提高蒸镀掩膜版的强度,避免蒸镀掩膜版发生翘由、断裂等问题,减少蒸镀膜层晕开、偏移等影响蒸镀品质的缺陷。进一步的,第一子像素、第二子像素和第三子像素形状和尺寸均相同,蒸镀掩膜版上的间隔相同,可以进一步提高蒸镀掩膜版的强度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种像素结构、包含所述像素结构的OLED显示屏、蒸镀掩膜版。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)是主动发光器件。与传统的LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示)显示方式相比,OLED显示技术无需背光灯,具有自发光的特性。OLED采用较薄的有机材料膜层和玻璃基板,当有电流通过时,有机材料就会发光。因此OLED显示屏能够显著节省电能,可以做得更轻更薄,比LCD显示屏耐受更宽范围的温度变化,而且可视角度更大。OLED显示屏有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术,是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
OLED屏体的彩色化方法有许多种,现在较为成熟并已经成功量产的OLED彩色化技术主要是OLED蒸镀技术,其采用传统的RGB Stripe(RGB条状)排列方式进行蒸镀。其中画面效果最好的是side-by-side(并置)的方式。side-by-side方式是在一个像素(Pixel)范围内有红、绿、蓝(R、G、B)三个子像素(sub-pixel),每个子像素均呈长方形,且各自具有独立的有机发光元器件,它是利用蒸镀成膜技术透过高精细金属掩膜版(Fine Metal Mask,FMM)在array(阵列)基板上相应的像素位置形成有机发光元器件,所述高精细金属掩膜版通常简称为蒸镀掩膜版。制作高PPI(Pixel Per Inch,每英寸所拥有的像素数目)的OLED显示屏的技术重点在于精细及机械稳定性好的FMM以及像素的排布方式。
图1为现有技术中一种OLED显示屏的像素排布示意图。业界通常将该种像素结构称为Real RGB。如图1所示,该OLED显示屏采用像素并置的方式,每个像素单元Pixel包括R子像素区域101、G子像素区域103以及B子像素区域105,其中,R子像素区域101包括R发光区102以及R非发光区,G子像素区域103包括G发光区104以及G非发光区,B子像素区域105包括B发光区106以及B非发光区。图1中所示R、G、B子像素均为长方形且发光区面积相等,并且R、G、B子像素呈直线排列。在每个子像素区域的发光区中,包括阴极、阳极和电致发光层(亦称为有机发射层),其中,电致发光层位于阴极和阳极之间,用于产生预定颜色光线以实现显示。在制备显示屏时,通常需要利用三次蒸镀工艺以分别在对应颜色像素区域的发光区中形成对应颜色的电致发光层。
图1所示的OLED显示屏的像素结构通常采用图2所示的FMM进行蒸镀,该种FMM包括遮挡区107以及若干个蒸镀开口108,同一列相邻的两个蒸镀开口108之间的遮挡区称之为连接桥(bridge)。由于图1的排布方式中相同颜色的子像素是上下对位设置的,因此FMM的蒸镀开口108也必须对位设置,这使得纵向相邻的两个蒸镀开口108之间的连接桥(bridge)具有断线的风险。并且,FMM的蒸镀开口108需要对应于预定的像素位置,按照现有的这一种像素排布方式,FMM和子像素区的对位空间会缩小,有可能产生缺色或混色的缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种像素结构驱动方法,以解决现有技术中存在的问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的