[发明专利]粒子成分分析装置及其使用方法以及粒子复合分析装置

说明书

技术领域

本发明涉及粒子成分分析装置、粒子复合分析装置及粒子成分分析装置的使用方法。

背景技术

已知在将粒子捕获到具有筛孔部的捕获体之后，通过向该粒子照射能量线而产生粒子的脱离成分，对脱离成分进行分析的粒子成分分析装置(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2011/114587号

发明内容

技术问题

通过对捕获体照射能量线而使捕获体的温度上升。由此，粒子从捕获体脱离。在对从捕获体脱离的粒子进行分析时，在不控制捕获体的温度的情况下，由于捕获体的温度发生变化，所以难以将测定条件保持为恒定。

技术方案

在本发明的第一方式中，提供一种粒子成分分析装置。粒子成分分析装置可以具备捕获体、能量线照射部和分析器。捕获体可以捕获成为测定对象的气溶胶(aerosol)中的粒子。能量线照射部可以向被捕获体捕获的粒子照射能量线。分析器可以基于通过能量线的照射而从捕获体脱离的粒子的脱离成分对粒子的成分和每种成分的量中的至少一项进行分析。捕获体可以具有温度测定部。粒子成分分析装置还可以具备控制部。控制部可以基于通过温度测定部测得的捕获体的温度对能量线照射部的输出进行控制。

捕获体可以具有在预定的方向层叠的多个筛孔结构体。多个筛孔结构体中的每一个可以具有筛孔部和支撑框部。支撑框部可以位于筛孔部的周围且支撑筛孔部。温度测定部可以设置于支撑框部。

控制部可以使用设置于多个筛孔结构体中的除了相对于能量线位于最表层的筛孔结构体的正面以外的多个筛孔结构体中的任一个面的温度测定部对能量线照射部的输出进行控制。

捕获体所具有的温度测定部可以是测温电阻器和热敏电阻中的任一个。

多个筛孔结构体中的每一个可以是加工得到的SOI基板。温度测定部可以是设置于SOI基板的薄膜的测温电阻器。

在本发明的第二方式中，提供一种粒子复合分析装置。粒子复合分析装置可以具备粒子成分分析装置和粒子测量装置。粒子成分分析装置可以是上述任一项中记载的粒子成分分析装置。粒子测量装置可以向成为测定对象的气溶胶的粒子照射激光，基于来自粒子的光测量粒子的数目和大小中的至少一项。

在本发明的第三方式中，提供一种粒子成分分析装置的使用方法。粒子成分分析装置可以具备具有温度测定部的捕获体、能量线照射部、分析器和控制部。粒子成分分析装置可以对气溶胶中的粒子的成分和每种成分的量中的至少一项进行分析。粒子成分分析装置的使用方法可以包括：能量线照射部产生粒子的脱离成分的步骤；温度测定部对捕获体的温度进行测定的步骤；控制部对能量线照射部的输出进行控制的步骤；以及分析器对脱离成分进行分析的步骤。在产生粒子的脱离成分的步骤中，能量线照射部可以向成为被捕获体捕获的测定对象的粒子照射能量线，通过能量线的照射产生从捕获体脱离的粒子的脱离成分。在控制能量线照射部的输出的步骤中，控制部可以基于通过温度测定部测得的捕获体的温度控制能量线照射部的输出。

粒子成分分析装置的使用方法还可以包括：控制部维持能量线照射部的输出的步骤、控制部提高能量线照射部的输出的步骤和控制部降低能量线照射部的输出的步骤中的1个以上的步骤。在通过温度测定部测得的温度与预定的温度相等的情况下，控制部可以维持能量线照射部的输出。在通过温度测定部测得的温度低于预定的温度的情况下，控制部可以提高能量线照射部的输出。在通过温度测定部测得的温度高于预定的温度的情况下，控制部可以降低能量线照射部的输出。

应予说明，上述的发明内容未列举本发明的所有特征。另外，这些特征群的再组合也能够成为发明。

附图说明

图1是表示第一实施方式中的粒子复合分析装置300的图。

图2是表示粒子成分分析装置100的图。

图3是表示粒子测量装置200的图。

图4A是对构成捕获体30的多个筛孔结构体40进行了分解而得到的图。

图4B是表示层叠有多个筛孔结构体40的状态的图。

图5A是表示1个筛孔结构体40的图。

图5B是表示图5A的B-B’截面的图。

图5C是表示图5A的C-C’截面的图。

图6是说明通过温度计算部92进行的处理的简要构成图。

图7是表示粒子成分分析装置100的使用方法的流程图。

图8是表示第二实施方式中的粒子复合分析装置300的图。

符号说明

10：导入口