[发明专利]导电图案结构及其制备方法、阵列基板和显示装置

说明书

本公开提供一种导电图案结构，该导电图案结构包括：依次层叠设置的第一金属层和第二金属层，其中，所述第二金属层覆盖所述第一金属层的上表面和全部侧表面；所述第一金属层的材料的金属活性比所述第二金属层的材料的金属活性强。本公开根据金属活动顺序表中金属还原性强弱的顺序，采用常规的置换反应，在第一金属层上形成包覆于其上表面和全部侧表面的第二金属层，从而降低了导电图案结构制作工艺的复杂性，且避免了低电阻金属中的金属离子扩散至有源层中破坏显示器件稳定性的问题，进而避免了产品良率下降的问题，除此之外，由于置换反应对设备和外界环境的要求较低，从而可以降低生产成本。

技术领域

本发明的实施例涉及一种导电图案结构及其制备方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

目前，制作薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的栅线、栅极、源极、漏极和数据线的材料一般选择化学性质比较稳定但电阻率比较高的Ta、Cr、Mo等金属或者上述金属形成的合金。由于TFT-LCD器件的尺寸较小、分辨率比较低，栅极信号的延迟比较小，对器件的显示效果的影响不明显。随着TFT-LCD的尺寸和分辨率不断地提高，栅线长度也随着增大，信号延迟时间也随之增大，信号延迟增加到一定的程度，一些像素得不到充分的充电，可能造成亮度不均匀，使TFT-LCD的对比度下降，严重地影响了图像的显示质量。为此，可以采用低电阻金属制作栅线、栅极、源极、漏极和数据线来解决这一问题。

当采用低电阻金属制作的金属线或者金属电极处于高温条件下时，低电阻金属离子容易扩散到半导体层中，使得薄膜晶体管的性能恶化，严重影响了TFT产品性能。

发明内容

本发明至少一实施例提供一种导电图案结构，该导电图案结构包括：依次层叠设置的第一金属层和第二金属层，其中，所述第二金属层覆盖所述第一金属层的上表面和全部侧表面；所述第一金属层的材料的金属活性比所述第二金属层的材料的金属活性强。

例如，在本发明至少一实施例提供的导电图案结构中，所述第一金属层的材料包括铜基金属和银基金属中的至少之一。

例如，在本发明至少一实施例提供的导电图案结构中，当所述第一金属层的材料为铜基金属时，所述第二金属层的材料包括金、银、铂和钯中的至少之一；当所述第一金属层的材料为银基金属时，所述第二金属层的材料包括铂和钯中的至少之一。

例如，在本发明至少一实施例提供的导电图案结构中，所述铜基金属包括Cu、CuMo、CuTi、CuMoW、CuMoNb或者CuMoTi；所述银基金属包括Ag、AgMo、AgTi、AgMoW、AgMoNb或者AgMoTi。

例如，在本发明至少一实施例提供的导电图案结构中，在所述铜基金属中，铜的质量百分含量为90wt％～100wt％；在所述银基金属中，银的质量百分含量为90wt％～100wt％。

例如，本发明至少一实施例提供的导电图案结构还包括缓冲层，其中，所述第一金属层设置在所述缓冲层上，所述缓冲层的材料包括Mo、Nb、Ti、MoW、MoNb、MoTi、WNb、WTi、TiNb、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少之一。

例如，在本发明至少一实施例提供的导电图案结构中，所述缓冲层的厚度为20～30nm，所述第一金属层的厚度为200～400nm，所述第二金属层的厚度为10～50nm。

本发明至少一实施例还提供一种阵列基板，包括上述任一导电图案结构。

本发明至少一实施例还提供一种显示装置，包括上述任一阵列基板。

本发明至少一实施例还提供一种导电图案结构的制备方法，该制备方法包括：在衬底基板上沉积第一金属层薄膜；对所述第一金属层薄膜进行图案化处理，以形成第一金属层；将形成有所述第一金属层的衬底基板置于包含第二金属离子的化合物溶液中，以形成包覆所述第一金属层的上表面和全部侧表面的第二金属层。