[发明专利]一种过零检测电路及DC-DC转换器

说明书

一种过零检测电路及DC‑DC转换器，所述过零检测电路包括：第一电平平移单元、第二电平平移单元以及比较单元；所述第一电平平移单元适于对待检测电平进行正向平移，以得到第一平移信号，所述第一平移信号为正电平；所述第二电平平移单元适于对地电平进行正向平移，以得到第二平移信号，所述第二电平平移单元的平移幅度等于所述第一电平平移单元的平移幅度；所述比较单元对所述第一平移信号和第二平移信号进行比较，以得到过零检测信号。本发明的技术方案可以提升精确度。

技术领域

本发明涉及电路领域，尤其涉及一种过零检测电路及DC-DC转换器。

背景技术

过零检测电路应用广泛，通常过零检测电路由比较器实现，通过比较器比较待比较电压和零电平，以比较器的输出作为检测结果。

过零检测电路可以应用于电源，例如同步整流降压型DC-DC转换器。DC-DC转换器有两种工作模式：电感电流连续导通模式(CCM，Continuous Conduction Mode)和电感电流不连续导通模式(DCM，Discontinuous Conduction Mode)。在DCM模式下的电感放电阶段，若电感电流下降到零以下，就会出现电流倒灌现象，极大地消耗了提供给输出负载的能量，导致转换器效率降低。所以，就需要一个精准的过零检测电路(ZCD，Zero-CrossingDetector)，在电感电流下降到零时能够迅速关断低端整流管，以最小化电流倒灌。

现有的过零检测电路的精度有待提升。现有的过零检测电路用于同步整流降压型DC-DC转换器时，检测效果有待提升。

发明内容

本发明解决的技术问题是提升过零检测电路的精确度。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种过零检测电路，包括：第一电平平移单元、第二电平平移单元以及比较单元；所述第一电平平移单元适于对待检测电平进行正向平移，以得到第一平移信号，所述第一平移信号为正电平；所述第二电平平移单元适于对地电平进行正向平移，以得到第二平移信号，所述第二电平平移单元的平移幅度等于所述第一电平平移单元的平移幅度；所述比较单元对所述第一平移信号和第二平移信号进行比较，以得到过零检测信号。

可选的，所述第一电平平移单元包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的栅极接入所述待检测电平，所述第一PMOS管的源极连接至电流源，所述第一PMOS管的源极信号作为所述第一平移信号。

可选的，所述第二电平平移单元包括：第二PMOS管，所述第二PMOS管的栅极接入所述地电平，所述第二PMOS管的源极连接至所述电流源，所述第二PMOS管的源极信号作为所述第二平移信号。

可选的，所述比较单元包括比较器，所述比较器的两个输入端分别输入所述第一平移信号和第二平移信号，所述过零检测信号根据所述比较器的输出信号得到。

可选的，所述比较单元包括放大电路和比较器，所述放大电路包括第一放大子电路和第二放大子电路；所述第一放大子电路适于放大所述第一平移信号，以得到第一放大信号；所述第二放大子电路适于放大所述第二平移信号，以得到第二放大信号，所述第二放大子电路的放大幅度等于所述第一放大子电路的放大幅度；所述比较器的两个输入端分别接入所述第一放大信号和所述第二放大信号，所述过零检测信号根据所述比较器的输出信号得到。

可选的，所述第一放大子电路包括：第一NMOS管、第三PMOS管；所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极连接至所述第三PMOS管的漏极，所述第一NMOS管的栅极接入偏置电压；所述第三PMOS管的源极连接至电流源，所述第三PMOS管的栅极接入所述第一平移信号，所述第三PMOS管的漏极信号作为所述第一放大信号。