[发明专利]一种过零检测电路及DC-DC转换器

权利要求书

1.一种过零检测电路，其特征在于，包括：第一电平平移单元、第二电平平移单元以及比较单元；

所述第一电平平移单元适于对待检测电平进行正向平移，以得到第一平移信号，所述第一平移信号为正电平；

所述第二电平平移单元适于对地电平进行正向平移，以得到第二平移信号，所述第二电平平移单元的平移幅度等于所述第一电平平移单元的平移幅度；

所述比较单元对所述第一平移信号和第二平移信号进行比较，以得到过零检测信号。

2.根据权利要求1所述的过零检测电路，其特征在于，所述第一电平平移单元包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的栅极接入所述待检测电平，所述第一PMOS管的源极连接至电流源，所述第一PMOS管的源极信号作为所述第一平移信号。

3.根据权利要求2所述的过零检测电路，其特征在于，所述第二电平平移单元包括：第二PMOS管，所述第二PMOS管的栅极接入所述地电平，所述第二PMOS管的源极连接至所述电流源，所述第二PMOS管的源极信号作为所述第二平移信号。

4.根据权利要求1所述的过零检测电路，其特征在于，所述比较单元包括比较器，所述比较器的两个输入端分别输入所述第一平移信号和第二平移信号，所述过零检测信号根据所述比较器的输出信号得到。

5.根据权利要求1所述的过零检测电路，其特征在于，所述比较单元包括放大电路和比较器，所述放大电路包括第一放大子电路和第二放大子电路；

所述第一放大子电路适于放大所述第一平移信号，以得到第一放大信号；

所述第二放大子电路适于放大所述第二平移信号，以得到第二放大信号，所述第二放大子电路的放大幅度等于所述第一放大子电路的放大幅度；

所述比较器的两个输入端分别接入所述第一放大信号和所述第二放大信号，所述过零检测信号根据所述比较器的输出信号得到。

6.根据权利要求5所述的过零检测电路，其特征在于，所述第一放大子电路包括：第一NMOS管、第三PMOS管；

所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极连接至所述第三PMOS管的漏极，所述第一NMOS管的栅极接入偏置电压；

所述第三PMOS管的源极连接至电流源，所述第三PMOS管的栅极接入所述第一平移信号，所述第三PMOS管的漏极信号作为所述第一放大信号。

7.根据权利要求6所述的过零检测电路，其特征在于，所述第二放大子电路包括：第二NMOS管、第四PMOS管；

所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的漏极连接至所述第四PMOS管的漏极，所述第二NMOS管的栅极接入偏置电压；

所述第四PMOS管的源极连接至电流源，所述第四PMOS管的栅极接入所述第二平移信号，所述第四PMOS管的漏极信号作为所述第二放大信号。

8.根据权利要求4或5所述的过零检测电路，其特征在于，所述比较器包括：

第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第五PMOS管以及第六PMOS管；

所述第三NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极共同连接至所述第三NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的源极接地；

所述第四NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的漏极连接至所述第五NMOS管的栅极；

所述第五NMOS管的源极接地，所述第五NMOS管的漏极连接至电流源，所述第五NMOS管的漏极信号作为所述比较器的输出信号；

所述第五PMOS管的栅极连接至所述比较器的两个输入端中的其中一个输入端，所述第五PMOS管的源极连接至所述电流源，所述第五PMOS管的漏极连接至所述第三NMOS管的漏极；

所述第六PMOS管的栅极连接至所述比较器的两个输入端中的另外一个输入端，所述第六PMOS管的源极连接至所述电流源，所述第六PMOS管的漏极连接至所述第四NMOS管的漏极。