[发明专利]能够分散应力的半导体装置

说明书

本申请要求于2016年3月16日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0031631号韩国专利申请的优先权，该申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种能够分散应力的半导体装置。

背景技术

通常，半导体装置可以通过在基底上堆叠多个层来形成。多个层中的每层可以具有不同的热膨胀系数(CTE)。由于多个层可以具有不同的CTE，所以半导体装置的加热或冷却会导致多个层以相对于彼此不同的量(例如，不均匀地)膨胀或收缩。因此，半导体装置的加热或冷却会使多个层经受纵向应力和/或剪切应力。纵向应力和/或剪切应力会导致多个层中的一层或更多层破裂。

发明内容

本发明构思的示例性实施例涉及一种可以在半导体装置的元件之间具有减小的应力的半导体装置。

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体装置包括：半导体基底，包括设置在其中的电路层；焊盘，设置在半导体基底上，焊盘电连接到电路层；以及金属层，电连接到焊盘。金属层包括：第一通路，电连接到焊盘，第一通路在金属层与电路层之间提供电路径；以及第二通路，朝向半导体基底突出，第二通路在半导体基底上支撑金属层。

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体装置包括：半导体芯片，安装在封装基底上；以及互连端子，设置在封装基底与半导体芯片之间，互连端子将半导体芯片电连接到封装基底。半导体芯片包括：半导体基底，包括位于其中的电路层；焊盘，设置在半导体基底上，焊盘电连接到电路层；以及第一金属层，电连接到焊盘。第一金属层包括：信号通路，连接到焊盘，并且在焊盘与互连端子之间形成电路径；以及虚设通路，从第一金属层朝向半导体基底突出，虚设通路支撑第一金属层。

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体装置包括封装基底、半导体芯片以及设置在封装基底与半导体芯片之间的互连端子。半导体芯片包括半导体基底、设置在半导体基底上的焊盘以及设置在焊盘上的金属层，其中，金属层电连接到焊盘并且电连接到互连端子。互连端子、焊盘和金属层将封装基底电连接到半导体芯片。金属层包括第一突起和第二突起。第一突起电连接到焊盘。

附图说明

通过结合附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的上述和其他特征将变得更加清楚，在附图中：

图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的半导体装置的剖视图；

图2A是示出根据本发明构思的示例性实施例的半导体装置的一部分的剖视图；

图2B是示出根据本发明构思的示例性实施例的半导体装置的一部分的剖视图；

图3A至图3G是根据本发明构思的示例性实施例的沿着图2A的线A-A或沿着图2B的线A-A截取的平面图。

具体实施方式

现在将在下文中参照附图更充分地描述本发明构思的示例性实施例。然而，本发明构思可以以不同形式实施，并且不应该被解释为限于在此阐述的实施例。为了清晰起见，可以夸大附图中的层和/或元件的尺寸和相对尺寸。

当层或元件被称为放置/设置在另一层或元件上时，该层或元件可直接放置/设置在所述另一层或元件上，或者可存在置于其间的中间层或中间元件。在整个说明书中，同样的附图标记可以表示同样的元件。

图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的半导体装置的剖视图。

参照图1，半导体装置可以包括半导体封装件10。半导体封装件10可以包括封装基底80、安装在封装基底80上的半导体芯片100以及包封半导体芯片100的模制层90。半导体芯片100可以以包括集成电路的电路层113可面对封装基底80的倒装芯片接合方式安装在封装基底80上。封装基底80可以是印刷电路板(PCB)。电路层113可以包括存储器电路、逻辑电路或其组合。一个或更多个互连端子150可以设置在半导体芯片100与封装基底80之间。互连端子150可以包括焊料凸起或焊球等。模制层90可以包括环氧树脂模塑料(epoxy molding compound，EMC)。

半导体封装件10还可以包括可将半导体芯片100电连接到封装基底80的至少一个电连接结构100a。在本发明构思的示例性实施例中，电连接结构100a可以具有被构造为分散通过互连端子150施加到半导体芯片100的机械应力和/或热应力的结构。