[发明专利]采用横向双极结型晶体管的反熔丝非易失性存储器件

说明书

一种反熔丝非易失性存储器件包括反熔丝存储单元和双极结型晶体管。反熔丝存储单元具有第一端子和第二端子。第二端子耦接到字线。双极结型晶体管具有耦接到反熔丝存储单元的第一端子的集电极端子、基极端子以及耦接到位线的发射极端子。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年3月21日提交的申请号为10-2016-0033104的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开的各种实施例涉及非易失性存储器件，更具体地，涉及采用横向双极结型晶体管作为选择晶体管的反熔丝非易失性存储器件。

背景技术

非易失性存储器件即使在其电源中断时也保留其储存的数据。非易失性存储器件可以包括只读存储(ROM)器件、一次性可编程(OTP)存储器件和可重写存储器件。近来，已经通过使用先进的半导体存储器技术(例如，互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容工艺)实现了非易失性存储器件。

OTP存储器件可以被分类为熔丝型OTP存储器件或反熔丝型OTP存储器件。包括在熔丝型OTP存储器件中的每个存储单元可以在其被编程之前提供短路，而在其被编程之后提供开路。相反，包括在反熔丝型OTP存储器件中的每个存储单元可以在其被编程之前提供开路，而在其被编程之后提供短路。考虑到MOS晶体管的特性，CMOS工艺可以适用于反熔丝型OTP存储器件的制造。

发明内容

各种实施例针对采用横向双极结型晶体管作为选择晶体管的反熔丝非易失性存储器件。

根据一个实施例，反熔丝非易失性存储器件包括反熔丝存储单元和双极结型晶体管。反熔丝存储单元具有第一端子和第二端子。第二端子耦接到字线。双极结型晶体管具有耦接到反熔丝存储单元的第一端子的集电极端子、基极端子以及耦接到位线的发射极端子。

根据另一个实施例，提供一种反熔丝非易失性存储器件，所述反熔丝非易失性存储器件包括分别位于多个行和多个列的交叉点处的多个反熔丝存储单元单位。每个反熔丝存储单元单位包括反熔丝存储单元和双极结型晶体管。反熔丝存储单元具有第一端子和第二端子。第二端子耦接到字线。双极结型晶体管具有耦接到反熔丝存储单元的第一端子的集电极端子、基极端子以及耦接到位线的发射极端子。

根据另一个实施例，反熔丝非易失性存储器件包括第一导电类型的阱区、设置在阱区中的多个有源区、设置为与所述多个有源区交叉的多个栅极、设置在所述多个栅极和所述多个有源区之间的反熔丝绝缘层以及设置在有源区中的多个横向双极结型晶体管。多个横向双极结型晶体管中的每个包括第二导电类型的集电极区和第二导电类型的发射极区，第二导电类型的集电极区和第二导电类型的发射极区与阱区的表面相邻并且通过阱区的一部分彼此间隔开。

附图说明

根据附图和所附详细描述，本发明构思的各种实施例将变得更加明显，其中：

图1是图示根据本公开的一个实施例的反熔丝非易失性存储器件的等效电路图；

图2是图示根据本公开的一个实施例的反熔丝非易失性存储器件的编程操作的等效电路图；

图3是图示根据本公开的一个实施例的反熔丝非易失性存储器件的读取操作的等效电路图；

图4是图示根据本公开的一个实施例的反熔丝非易失性存储器件的布置图；

图5是沿图4的I′-I′线截取的截面图；

图6是图示图4中所示的反熔丝非易失性存储器件的编程操作的截面图；

图7是图示图4中所示的反熔丝非易失性存储器件的编程禁止操作的截面图；

图8是图示图4中所示的反熔丝非易失性存储器件的另一个编程禁止操作的截面图；

图9是图示图4中所示的反熔丝非易失性存储器件的读取操作的截面图；