[发明专利]共源共栅级联的氮化镓器件封装结构在审
| 申请号： | 201710059793.8 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN106898604A | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 陈磊;阮颖 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 共源共栅 级联 氮化 器件 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种共源共栅级联的氮化镓器件封装结构，其特征在于，硅器件和GaN器件上下连接形成共源共栅级联结构，具体结构为硅器件栅极作为级联结构栅极(21)，硅器件源极作为级联结构源极(22)，GaN器件漏极作为级联结构漏极(26)，硅器件源极与GaN器件栅极连接(23)，GaN器件源极与硅器件漏极连接(24)，GaN器件栅极与硅器件源极连接(25)，电容器(27)的一端直接连接到硅器件源极(23)，另一端通过导线连接到GaN器件源极(24)，封装排布硅器件位于GaN器件的上部，连接部分通过结构中间位置的焊盘连接。
2.根据权利要求1所述共源共栅级联的氮化镓器件封装结构，其特征在于，所述电容器(27)Cx的的电容值大于Cmin，Cmin的计算公式如下：
其中，Q为GaN器件在由开通到关断过程中通过沟道直接耗散的电荷量；VA为与GaN器件级联的硅器件的雪崩电压；VT为GaN器件发生反向关断过程时源极和门极的阈值电压。
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