[发明专利]塑封材料过孔及其填充方法

说明书

本发明提供一种塑封材料过孔及其填充方法，所述填充方法包括S1：提供一金属焊盘结构，并在所述金属焊盘结构上表面形成塑封材料层；S2：在对应金属焊盘位置的塑封材料层上形成开口，并在所述开口的内表面形成阻挡层，其中，所述金属焊盘上方保留有预定厚度的塑封材料层作为保护层；S3：去除所述开口底部的阻挡层及保护层，暴露出所述金属焊盘；S4：在所述阻挡层表面及金属焊盘上表面形成种子层，并在所述种子层表面依次形成金属层和聚合物层。通过本发明提供的塑封材料过孔及其填充方法，解决了现有技术中没有有效地填充塑封材料过孔方法的问题。

技术领域

本发明涉及一种半导体封装技术，特别是涉及一种塑封材料过孔及其填充方法。

背景技术

众所周知，封装技术其实是一种将芯片打包的技术，这种打包对于芯片来说是必须的，因为芯片必须与外界隔离，以防止由于空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降；另一方面，封装后的芯片也要便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印刷电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。封装也可以说是安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁。简单来说，封装就是将芯片上的接点通过导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件建立连接。因此，封装技术是集成电路产业中非常关键的一环。

目前，经过多年的发展，封装技术经历了从最初的针脚插入式实装技术到表面贴装技术再到球栅阵列端子BGA(ball grid array)型封装技术再到最新的三维封装技术(3Dpackage)。其中，三维封装技术又可以分为封装叠层的三维封装、芯片叠层的三维封装以及晶圆叠层的三维封装三种类型。三维封装的优点在于可以提高互连线的密度，降低器件外形的总体高度。由于有可能将不同类型的芯片层叠在一起，而又具有较高的互连线密度，因此三维封装技术具有很好的应用前景。在一个3D结构里，电子元器件，如具有各种有源IC器件的半导体芯片，可能是多层叠层结构。传统上，使用引线键合来建立芯片之间的电互连，但引线键合需要较大的平面内尺寸和平面外尺寸，与最大化元件密度的目标不一致。为了电连接在不同层里的元件，通孔技术可以被用来提供电互连，并提供机械支撑，而现在还没有一种有效的填充塑封材料过孔的方法。

鉴于此，有必要设计一种新的塑封材料过孔及其填充方法用以解决上述技术问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种塑封材料过孔及其填充方法，用于解决现有技术中没有有效地填充塑封材料过孔方法的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种塑封材料过孔的填充方法，所述填充方法包括：

S1：提供一金属焊盘结构，并在所述金属焊盘结构上表面形成塑封材料层；

S2：在对应金属焊盘位置的塑封材料层上形成开口，并在所述开口的内表面形成阻挡层，其中，所述金属焊盘上方保留有预定厚度的塑封材料层作为保护层；

S3：去除所述开口底部的阻挡层及保护层，暴露出所述金属焊盘；

S4：在所述阻挡层表面及金属焊盘上表面形成种子层，并在所述种子层表面依次形成金属层和聚合物层。

优选地，S1中所述塑封材料层的厚度小于等于200um。

优选地，S2中采用激光钻孔工艺在所述塑封材料层上形成开口，所述激光钻孔的能量为0.5～3J/cm2。

优选地，S1中所述塑封材料层的厚度大于200um。

优选地，S2中所述开口的形成方法包括：

S21：在对应金属焊盘位置的塑封材料层上形成凹槽，并在所述凹槽的内表面形成阻挡层；