[发明专利]存储器装置的操作方法在审
申请号: | 201710009588.0 | 申请日: | 2017-01-06 |
公开(公告)号: | CN108281165A | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 林道远;杨怡箴;张耀文 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C8/08 | 分类号: | G11C8/08;G11C7/10;G11C16/04;G11C16/08;G11C16/26;G11C16/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 字线 存储单元 存储器装置 读取 耦接 读取电压 写入 | ||
一种存储器装置包括N条字线,其中所述字线包括一第i条字线和一第i+1条字线,第i条字线耦接至一第i个存储单元,第i+1条字线耦接至相邻于第i个存储单元的一第i+1个存储单元,第i+1个存储单元是一被写入的存储单元,i是0至N‑2的整数。操作此种存储器装置的一种操作方法包括一读取步骤。在该读取步骤中,提供一读取电压至第i条字线,提供一第一通过电压至第i+1条字线,并提供一第二通过电压至所有其他字线,其中第二通过电压低于第一通过电压。
技术领域
本发明涉及一种存储器装置的操作方法,进一步涉及包括一读取步骤的方法。
背景技术
存储器装置广泛地用于电子系统以储存数据。类似于其他电子装置,对于存储器装置和其元件存在有尺寸缩小的潮流。随着存储器装置的缩小,发生在元件之间的干扰(interference)可能成为问题。这样的问题可以借由修改元件的材料和/或空间配置来解决。此外,可以借由调整存储器装置的操作方法来减轻干扰。
发明内容
本发明是关于能够减轻存储器装置的元件(例如字线和/或存储单元)之间的干扰问题的方法。
根据一些实施例,提供一种存储器装置的操作方法,用于操作一存储器装置。存储器装置包括N条字线,所述字线包括一第i条字线和一第i+1条字线,第i条字线耦接至一第i个存储单元,第i+1条字线耦接至相邻于第i个存储单元的一第i+1个存储单元,第i+1个存储单元是一被写入的存储单元,i是0至N-2的整数。操作方法包括一读取步骤。读取步骤包括提供一读取电压至第i条字线、提供一第一通过电压至第i+1条字线、和提供一第二通过电压至所述字线中的所有其他字线,其中第二通过电压低于第一通过电压。
根据一些实施例,提供一种存储器装置的操作方法,用于操作一存储器装置。存储器装置包括耦接至一位线的N个存储单元,所述存储单元包括一第i个存储单元和相邻于第i个存储单元的一第i+1个存储单元,第i+1个存储单元是一被写入的存储单元,i是0至N-2的整数。操作方法包括一读取步骤。读取步骤包括施加一读取电压至第i个存储单元、施加一第一通过电压至第i+1个存储单元、和施加一第二通过电压至所述存储单元中的所有其他存储单元,其中第二通过电压低于第一通过电压。
为了对本发明上述及其他方面有更佳了解,下文特列举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下:
附图说明
图1标出存储器装置的一示例性电路配置。
图2标出一示例性存储器装置的一部分。
图3标出范例和比较例的横向电位分布。
图4标出范例和比较例的干扰情况。
图5绘示一示例性存储器装置的一部分。
【符号说明】
10:串行
20:串行
110:串行选择晶体管
120:接地选择晶体管
200:介电层
210:记忆层
212:隧穿层
214:捕捉层
216:势垒层
220:通道层
300:基板
310:控制栅
320:浮栅
330:介电层
332:氧化物层
334:氮化物层
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