[发明专利]存储器装置的操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置的操作方法，用于操作一存储器装置，该存储器装置包括N条字线，所述字线包括一第i条字线和一第i+1条字线，该第i条字线耦接至一第i个存储单元，该第i+1条字线耦接至相邻于该第i个存储单元的一第i+1个存储单元，该第i+1个存储单元是一被写入的存储单元，i是0至N-2的整数，该存储器装置的操作方法包括一读取步骤，该读取步骤包括：

提供一读取电压至该第i条字线；

提供一第一通过电压至该第i+1条字线；以及

提供一第二通过电压至所述字线中的所有其他字线，其中该第二通过电压低于该第一通过电压。

2.如权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中该第一通过电压介于8V和12V之间。

3.如权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中该第二通过电压介于6V和10V之间。

4.如权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中该第一通过电压和该第二通过电压高于该第i个存储单元的一最高阈值电压电平。

5.如权利要求4所述的存储器装置的操作方法，其中该第一通过电压和该第二通过电压高于该第i个存储单元的该最高阈值电压电平至少2V。

6.如权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中该第i个存储单元和该第i+1个存储单元耦接至相同的位线。

7.如权利要求6所述的存储器装置的操作方法，其中该第i个存储单元和该第i+1个存储单元设置在相同的串行中。

8.如权利要求7所述的存储器装置的操作方法，其中该第i+1个存储单元设置在该第i个存储单元的漏极侧。

9.如权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中所述字线具有等于或小于30纳米的一间隔。

10.一种存储器装置的操作方法，用于操作一存储器装置，该存储器装置包括耦接至一位线的N个存储单元，所述存储单元包括一第i个存储单元和相邻于该第i个存储单元的一第i+1个存储单元，该第i+1个存储单元是一被写入的存储单元，i是0至N-2的整数，该存储器装置的操作方法包括一读取步骤，该读取步骤包括：

施加一读取电压至该第i个存储单元；

施加一第一通过电压至该第i+1个存储单元；以及

施加一第二通过电压至所述存储单元中的所有其他存储单元，其中该第二通过电压低于该第一通过电压。