[实用新型]一种多I/O倒装LED芯片阵列凸点封装结构

权利要求书

1.一种多I/O倒装LED芯片阵列凸点封装结构，其特征在于，单颗倒装LED芯片的电极为阵列凸点；所述的阵列凸点包括铺设于芯片功能层表面的钝化层、覆盖电极窗口并嵌入电极窗口内和铺设于芯片功能层上的金属化层、铺设于金属化层上并包围金属化层形成预留有阻焊窗口的阻焊层图形、于阻焊窗口内填充嵌有高于阻焊窗口的阵列焊料凸点，金属化层位于阵列焊料凸点的下方。

2.根据权利要求1所述的多I/O倒装LED芯片阵列凸点封装结构，其特征在于，倒装LED芯片的电极的阵列凸点最小单元为2Pin×2Pin阵列；具有一个P/N节的倒装LED芯片的P电极分割为2个阵列凸点， N电极分割为2个阵列凸点，构成一个含有4个阵列凸点的阵列结构。

3.根据权利要求1所述的多I/O倒装LED芯片阵列凸点封装结构，其特征在于，倒装LED芯片的电极的阵列凸点最小单元为2Pin×2Pin阵列；具有一个P/N节的倒装LED芯片的一个电极分割为2个阵列凸点，另一个电极不分割形成1个阵列凸点，构成含有3个阵列凸点的阵列结构。

4.根据权利要求1所述的多I/O倒装LED芯片阵列凸点封装结构，其特征在于，倒装LED芯片的电极的阵列凸点最小单元为2Pin×2Pin阵列；于具有二个P/N节的倒装LED芯片的2个P电极和2个N电极上均种植4个阵列焊料凸点构成4个I/O倒装LED芯片阵列凸点封装结构。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的一种多I/O倒装LED芯片阵列凸点封装结构，其特征在于，所述的阵列凸点于倒装LED芯片表面成四角或三角形分布。

6.根据权利要求5所述的一种多I/O倒装LED芯片阵列凸点封装结构，其特征在于，所述的金属化层由Cr/Al/Ti/Pt（Au）或Ni/Al/Ti/Pt（Au）或Ni/Ag/Ti/Pt（Au）组成多层金属复合结构。

7.根据权利要求6所述的一种多I/O倒装LED芯片阵列凸点封装结构，其特征在于，所述的金属化层表面还设有位于阻焊窗口底部的扩散阻挡层，扩散阻挡层由Ni（P）金属结构组成,扩散阻挡层的尺寸大于倒装LED芯片的电极尺寸。

8.根据权利要求7所述的一种多I/O倒装LED芯片阵列凸点封装结构，其特征在于，所述的阻焊窗口呈圆形或椭圆形，阻焊层图形的尺寸小于扩散阻挡层尺寸。

9.根据权利要求8所述的一种多I/O倒装LED芯片阵列凸点封装结构，其特征在于，所述的阵列焊料凸点为含铅焊料或无铅锡基焊料或锡基焊料或铟基焊料或铋基或金基焊料的任一种。

10.根据权利要求9所述的一种多I/O倒装LED芯片阵列凸点封装结构，其特征在于，所述的阵列焊料凸点呈圆球形或方形或椭圆球形。