[实用新型]一种基于高质量均匀分布预制铜层的铜铟镓硒薄膜太阳能电池有效
| 申请号： | 201620807033.1 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN206271716U | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 张晓清;黄云翔;汤勇;陆龙生;袁伟;万珍平;李宗涛 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0749;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 质量 均匀分布 预制 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于高质量均匀分布预制铜层的铜铟镓硒薄膜太阳能电池，其特征在于包括在衬底上制备的钼背电极，在钼背电极上依次制备的基于高质量均匀分布预制铜层的一层铜铟镓硒吸收层、CdS缓冲层、本征氧化锌层、掺铝氧化锌层和上电极。
2.根据权利要求1所述的一种基于高质量均匀分布预制铜层的铜铟镓硒薄膜太阳能电池，其特征在于，所述衬底为钠钙玻璃。
3.根据权利要求1所述的一种基于高质量均匀分布预制铜层的铜铟镓硒薄膜太阳能电池，其特征在于，所述上电极为银电极。
4.根据权利要求1所述的一种基于高质量均匀分布预制铜层的铜铟镓硒薄膜太阳能电池，其特征在于，钼背电极的厚度为630～930nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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