[实用新型]使用薄半导体晶片的太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

(i)半导体晶片，其包括：

a.第一表面；以及

b.第二表面；

c.第一区域，其在与所述第一表面正交的方向上具有第一平均厚度；

d.第二区域，其处于控制位置处，具有第二平均厚度，所述第二平均厚度与所述第一平均厚度的比率在1.28比1与5比1之间，

其中，所述第二区域包括条状部、岛状部或者平台中的至少一个；

(ii)在所述第二区域的至少一部分上的喷镀；以及

(iii)与所述喷镀接触的母线。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，还包括覆盖所述第二表面与所述母线的封装材料。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第二区域包括条状部。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第二区域包括平台区域。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第二区域包括岛状部区域。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第二区域包括至少一个岛状部区域和至少一个平台区域。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述喷镀将所述平台区域和所述岛状部区域联接。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中，所述母线定位为接触所述平台与所述岛状部之间的所述喷镀。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中，所述母线定位为在所述平台与所述岛状部之间的区域处与所述喷镀隔开。

10.根据权利要求1、2、3、4或5所述的太阳能电池，其中，所述第二区域还包括周边。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池，所述平台具有大于邻近所述周边并且小于邻近第一区域的厚度。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池，所述平台具有从较大厚度渐变过渡到较小厚度的厚度。

13.根据权利要求1、2、3、4或5所述的太阳能电池，还包括所述第一区域至所述第二区域之间的厚度过渡区域，所述过渡选自下述过渡：突变过渡与渐变过渡。

14.根据权利要求1、2、3、4或5所述的太阳能电池，所述第二区域包括具有一定宽度的周边区域，并且所述晶片还包括从所述第二区域到所述第一区域的厚度过渡区域，所述过渡区域也具有一定宽度。

15.根据权利要求14所述的太阳能电池，所述周边区域宽度大约等于所述过渡区域宽度。

16.根据权利要求14所述的太阳能电池，所述周边区域宽度显著大于所述过渡区域宽度。

17.根据权利要求1、2、3、4或5所述的太阳能电池，还包括后表面场。

18.根据权利要求1、2、3、4或5所述的太阳能电池，还包括光捕获层。