[实用新型]一种半导体激光器单元有效
| 申请号： | 201620090927.3 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN205355526U | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 刘玉凤;马宁;周鹏磊;王瑞松;董琳琳;郭东;姜再欣;郭维振;郭在征;白永刚 | 申请（专利权）人： | 北京杏林睿光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/022 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100070 北京市丰台*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 单元 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体激光器，包括：
热沉；
半导体激光器芯片，被安装于热沉上；
准直镜，用于对所述芯片发出的光进行快轴准直；
体布拉格光栅（VBG），用作半导体激光器的外腔；
VBG底座，用于安装设置VBG，
其特征在于，所述VBG底座的前端设有U型槽，通过在U型槽两侧底部与热沉的接触面处点胶，使VBG底座与热沉连接固定，所述U型槽两内侧之间的距离大于所述准直镜的宽度以及芯片的宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述底座的热膨胀系数与热沉的热膨胀系数相同。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述底座与所述热沉的材料相同或不同。
4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述底座和所述热沉均由紫铜制得。
5.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述底座的厚度为长度的至少30%。
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