[发明专利]可挠式显示面板的制造方法有效
申请号: | 201611197714.1 | 申请日: | 2016-12-22 |
公开(公告)号: | CN108231675B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 程惟嵩;李懿庭 | 申请(专利权)人: | 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司;瀚宇彩晶股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/67 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 210038 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可挠式 显示 面板 制造 方法 | ||
本发明公开了一种可挠式显示面板的制造方法,首先,提供一载板。然后,在载板上形成一导电层、一绝缘层以及一离型层,并依序堆叠于载板上。接着,在离型层上形成一可挠式薄膜基板,且在可挠式薄膜基板上制作电子组件,并且,在可挠式薄膜基板上设置一保护结构,用以封装该些电子组件,以形成封装后的可挠式显示面板。随后,对导电层通电以加热导电层,并将可挠式显示面板从载板分离。据此,可改善可挠式显示面板与载板的分离难易度,提高剥离工艺的合格率,进而提高可挠式显示面板的可靠性。
技术领域
本发明涉及一种可挠式显示面板的制造方法,特别是涉及一种可以改善可挠式显示面板与载板的分离难度的可挠式显示面板的制造方法。
背景技术
在现今显示技术中,可挠式显示面板由于具有高轻巧性、耐冲击性、可挠曲性、可穿戴性与易携带性等优异特性,目前已俨然成为新一代前瞻显示技术。
由于可挠式薄膜基板的刚性不足,因此已知可挠式显示面板的制造方法是先在可挠式薄膜基板与载板之间设置一整面具有一致黏着力的离型层,以将可挠式薄膜基板固定在刚性较优的载板上,等制作好电子组件后,再通过剥离工艺使可挠式显示面板与载板分离。然而,为了稳固地将可挠式薄膜基板固定在承载基板上,离型层必须具备一定的黏着力,但此黏着力在进行剥离工艺时会导致可挠式显示面板不易被取下,甚至造成可挠式显示面板受损,使得剥离工艺的合格率偏低,进而造成可挠式显示面板的可靠性不佳而成为可挠式显示面板在量产时的主要问题之一。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种可挠式显示面板的制造方法,以改善可挠式显示面板与载板的分离难度,进而提高可挠式显示面板的可靠性。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种可挠式显示面板的制造方法,首先,提供一载板。然后,在载板上形成一导电层,在导电层上形成一绝缘层,再在绝缘层上形成一离型层。接着,在离型层上形成一可挠式薄膜基板,且在可挠式薄膜基板上制作电子组件,并且,在可挠式薄膜基板上设置一保护结构,用以封装电子组件,将可挠式薄膜基板、电子组件、保护结构组合成可挠式显示面板。随后,对导电层通电以加热导电层,并将可挠式显示面板从载板分离,或者可连同包含离型层的可挠式显示面板从载板一并分离。
为更进一步解决上述技术问题,本发明还可选择性地采用以下的技术内容。
在前述可挠式显示面板的制造方法中,当导电层加热至不小于摄氏60度时,将可挠式显示面板从载板分离。
在前述可挠式显示面板的制造方法中,导电层为一整面的导电层或一图案化的导电层。
在前述可挠式显示面板的制造方法中,保护结构为一保护膜层或一保护基板。
在前述可挠式显示面板的制造方法中,导电层包含金属材料或半导体材料,绝缘层包含氧化硅、氮化硅、氧氮化硅或氮氧化硅,可挠式薄膜基板包含聚亚酰胺材料或聚对苯二甲酸乙二酯材料,具有介于5~25μm的厚度。并且电子组件包含多个有机发光二极管阵列或一触控感测组件。
在前述可挠式显示面板的制造方法中,对导电层通电以加热导电层,并将包含离型层的可挠式显示面板从载板分离,其中离型层对绝缘层的附着力小于离型层对可挠式薄膜基板的附着力。
在前述可挠式显示面板的制造方法中,更可在形成离型层之前,对导电层与绝缘层的至少其中一个的表面进行粗糙化工艺,其中,粗糙化工艺系指在导电层与绝缘层的至少其中一个的表面形成多个突起结构。
在前述可挠式显示面板的制造方法中,突起结构接触离型层的下表面或可挠式薄膜基板的下表面。
在前述可挠式显示面板的制造方法中,突起结构形成于导电层并与导电层为相同材料且接触可挠式薄膜基板的下表面,其中,所述突起结构可降低离型层对可挠式薄膜基板的附着力,且所述突起结构对可挠式薄膜基板的附着力亦小于离型层对可挠式薄膜基板的附着力。藉此较容易将可挠式薄膜基板从载板分离且有助提高可挠式薄膜基板的良率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造