[发明专利]一种片上系统以及用于防止片上系统中的闭锁的方法有效

专利信息
申请号: 201611173618.3 申请日: 2016-12-13
公开(公告)号: CN106898375B 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: S·R·施瑞德哈尔;S·K·苏曼;P·希萨拉曼;K·B·钦塔马尼;A·R·勒乐;R·S·拉奥;P·K·拉娜;A·苏夫拉穆尼亚;V·K·辛格哈尔;M·S·沙哈;B·K·波卢瑞 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号: G11C11/417 分类号: G11C11/417;G11C5/14
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 徐东升;赵蓉民
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 一种 系统 以及 用于 防止 中的 闭锁 方法
【权利要求书】:

1.一种片上系统即SOC,其包括:

处理器;以及

被耦合到所述处理器的存储器系统,所述存储器系统包括静态随机存取存储器存储体即SRAM存储体和存储器控制器,所述SRAM存储体包括被耦合到SRAM阵列电源和SRAM阵列中的SRAM存储单元的晶体管的源极的第一开关和被耦合到NWELL电源和所述SRAM存储单元的晶体管的本体的第二开关;

其中所述第二开关被配置为在所述SRAM阵列的上电期间在所述第一开关闭合之前闭合。

2.根据权利要求1所述的SOC,其中所述存储器系统进一步包括被耦合到所述第二开关的SOC电平开关,所述SOC电平开关被配置为:

接收指示所述SRAM阵列将要上电的端口控制信号;并且

基于接收到指示所述SRAM阵列将要上电的所述端口控制信号,将输出信号路由至所述第二开关的栅极以使得所述第二开关闭合。

3.根据权利要求2所述的SOC,其中所述SOC电平开关基于接收到指示所述SRAM阵列电源已完全爬升的端口控制信号,将NWA控制信号从所述存储器控制器路由至所述第二开关。

4.根据权利要求3所述的SOC,其中所述SOC电平开关由常开电源供电。

5.根据权利要求4所述的SOC,其中所述第一开关被配置为:

接收上电控制信号,所述上电控制信号被反相器延迟以在所述第二开关闭合之后到达所述第一开关的栅极;并且

基于接收到所述上电控制信号,闭合以将所述SRAM阵列电源信号路由至所述SRAM存储单元的晶体管的源极。

6.根据权利要求1所述的SOC,其中所述SRAM存储体进一步包括被耦合到所述第一开关和所述第二开关的与非门,所述与非门被配置为接收上电控制信号和内部NWELL电源信号,并输出第一开关控制信号。

7.根据权利要求6所述的SOC,其中所述第一开关控制信号基于所述内部NWELL供应信号和所述上电控制信号均为高而使所述第一开关闭合。

8.根据权利要求6所述的SOC,其中所述第二开关的栅极被配置为接收NWELL导通信号以闭合所述第二开关,所述第二开关的源极被配置为接收所述内部NWELL电源信号,并且所述第二开关的漏极被配置为路由所述内部NWELL电源信号。

9.根据权利要求8所述的SOC,其中所述上电控制信号和所述NWELL导通信号由一个电源产生。

10.一种用于防止片上系统即SOC中的闭锁的方法,包括:

由第一开关接收被配置为向静态随机存取存储器阵列即SRAM阵列的多个存储单元供电的SRAM阵列电源信号;

由第二开关接收被配置为向所述SRAM阵列的多个NWELL供电的NWELL电源信号;

闭合所述第二开关以将所述NWELL电源信号路由至所述存储单元之一的晶体管的本体;并且

在闭合所述第二开关之后,闭合所述第一开关以将所述SRAM阵列电源信号路由至所述晶体管的源极。

11.根据权利要求10所述的方法,进一步包括:

由SOC电平开关从存储器控制器接收端口控制信号,所述端口控制信号指示所述SRAM阵列将要上电;以及

基于接收到指示所述SRAM将要上电的端口控制信号,将输出信号从所述SOC电平开关路由至所述第二开关的栅极,以使所述第二开关闭合;以及

在所述第二开关闭合之后由所述第一开关的栅极接收上电控制信号,使得所述第一开关闭合;

其中所述SOC电平开关由常开电源供电。

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