[发明专利]一种印刷型像素bank结构及其制备方法有效
申请号: | 201611169516.4 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN106601774B | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 陈亚文 | 申请(专利权)人: | 深圳市TCL高新技术开发有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;B41M5/00 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区西丽留仙洞中山园路*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 印刷 像素 bank 结构 及其 制备 方法 | ||
本发明公开一种印刷型像素bank结构及其制备方法,所述像素bank结构从下至上依次包括基板、像素电极以及像素bank,其中,所述像素bank由至少三层bank层堆叠组成,所述至少三层bank层的疏液性从下至上依次增大,亲液性从下至上依次减小。本发明采用具有至少三层不同亲疏液性的bank层堆叠形成像素bank,通过多层bank层的设计,可以形成多个亲疏液特性不同的界线,从而对不同的墨水形成不同位置的钉扎点,有效的调控不同打印膜层的均匀性。
技术领域
本发明涉及印刷领域,尤其涉及一种印刷型像素bank结构及其制备方法。
背景技术
溶液法加工制作OLED以及QLED显示器,具有低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点,是未来显示技术发展的重要方向。其中,印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。
但作为一个新兴技术,溶液法印刷技术和印刷工艺一直未能得到很好的解决。虽然研究者们从材料喷印设备对其进行了改进,但是印刷设备的稳定性以及薄膜厚度的均匀性等印刷难题一直未能达到预期结果。
在印刷工艺开发过程中,像素界定层(PDL或bank)对于打印的良率以及后期成膜均匀性非常重要,bank表面需要具有较好的疏液,从而防止打印过程中墨水溢出像素坑造成混色或mura现象;此外,bank侧壁需要具有不同的疏液性,从而调节墨水干燥收缩时钉扎点的位置,进而优化墨水干燥后的薄膜均匀性。目前的bank设计均采用双组分模式,即一亲液组分一疏液组分,如图1所示,第一bank层31为亲液组分,第二bank层32为疏液组分,第一bank层31和第二bank层32的交界处为钉扎点。
但目前的印刷工艺,往往需要打印多种墨水,且为了防止膜层间的互溶,墨水一般采用性质差异较大的溶剂,因此,现有的双组分bank结构对于多种墨水的打印具有局限性。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种印刷型像素bank结构及其制备方法,旨在解决现有的双组分bank结构对于多种墨水的打印具有局限性的问题。
本发明的技术方案如下:
一种印刷型像素bank结构,从下至上依次包括基板、像素电极以及像素bank,其中,所述像素bank由至少三层bank层堆叠组成,所述至少三层bank层的疏液性从下至上依次增大,亲液性从下至上依次减小。
所述的印刷型像素bank结构,其中,所述bank层的层数比待打印的薄膜层的层数多一层。
所述的印刷型像素bank结构,其中,位于所述像素电极表面的第一bank层的厚度为100~250nm。
所述的印刷型像素bank结构,其中,位于所述第一bank层表面的第二bank层的厚度为20~200nm。
所述的印刷型像素bank结构,其中,所述像素bank的厚度为800~1500nm。
所述的印刷型像素bank结构,其中,相邻的bank层之间形成亲疏液特性不同的界线,将所述界线作为待打印的薄膜层干燥时的钉扎点。
所述的印刷型像素bank结构,其中,所述基板为玻璃基板、酚醛树脂基板、环氧树脂基板或聚基酰胺纤维基板中的一种或多种。
所述的印刷型像素bank结构,其中,所述像素电极的材料为透明导电金属氧化物、导电聚合物、石墨烯、导电纳米线或导电金属中的一种或多种。
一种印刷型像素bank结构的制备方法,其中,包括步骤:
S1、在具有图形化像素电极的基板上依次沉积至少三层bank层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的