[发明专利]非易失性存储器设备以及对其进行编程的方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器设备，包括：

存储单元阵列，包括多个存储单元；

地址译码器，在第一编程循环中将第一验证电压提供至多个存储单元当中的所选择的存储单元，并且在第二编程循环中将第二验证电压提供至所选择的存储单元；以及

控制逻辑，基于第一编程循环的验证操作的结果，将第二编程循环确定为验证电压偏移点，在验证电压偏移点中将第一验证电压改变为第二验证电压，其中，第一编程循环的关单元的数目被用于从多个编程循环中选择第二编程循环作为验证电压偏移点，以及其中，如果第一编程循环的关单元的数目等于或大于第一参考值并且小于第二参考值，则控制逻辑将第二编程循环确定为验证电压偏移点。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器设备，

其中，控制逻辑包括通过/失败计数器，该通过/失败计数器基于第一编程循环的验证操作的结果来对第一编程循环的关单元的数目进行计数。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器设备，

其中，控制逻辑还包括验证电平偏移点控制器，该验证电平偏移点控制器基于第一编程循环的关单元的数目来将第二编程循环确定为验证电压偏移点。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器设备，

其中，如果第一编程循环的关单元的数目等于或大于第二参考值，则控制逻辑将第二编程循环确定为验证电压偏移点。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器设备，

其中，控制逻辑在第二编程循环中将第一验证电压减小第一偏移电压，以将第一验证电压改变为第二验证电压。

6.如权利要求5所述的非易失性存储器设备，

其中，控制逻辑在第二编程循环之后的编程循环中将第一验证电压减小第二偏移电压，该第二偏移电压是第一偏移电压的两倍。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器设备，还包括：

电压生成器，根据控制逻辑的控制来生成第一验证电压和第二验证电压。

8.如权利要求1所述的非易失性存储器设备，

其中，存储单元中的每个包括电荷捕获层。

9.一种非易失性存储器设备，包括：

存储单元阵列，包括多个存储单元，其中，多个存储单元中的每个具有多个编程状态中的编程状态；

地址译码器，在第一编程循环中将第一验证电压提供至多个存储单元当中的所选择的存储单元，并且在第二编程循环中将第二验证电压提供至所选择的存储单元；以及

控制逻辑，基于在第一编程循环中特定编程状态的编程是否完成，将第二编程循环确定为验证电压偏移点，在验证电压偏移点中将第一验证电压改变为第二验证电压，其中，第一编程循环的关单元的数目被用于从多个编程循环中选择第二编程循环作为验证电压偏移点，以及其中，如果第一编程循环的关单元的数目等于或大于第一参考值并且小于第二参考值，则控制逻辑将第二编程循环确定为验证电压偏移点。

10.如权利要求9所述的非易失性存储器设备，

其中，如果在第一编程循环中特定编程状态的编程完成，则第二编程循环是紧接在第一编程循环之后的编程循环。

11.如权利要求9所述的非易失性存储器设备，

其中，如果在第一编程循环中第一编程状态的编程完成，则控制逻辑在第二编程循环中改变与邻近第一编程状态的编程状态相对应的验证电压。

12.如权利要求9所述的非易失性存储器设备，

其中，控制逻辑使得在第二编程循环中将第一验证电压减小第一偏移电压至第二验证电压。

13.如权利要求12所述的非易失性存储器设备，

其中，控制逻辑使得在第二编程循环之后的编程循环中将第一验证电压减小第二偏移电压，该第二偏移电压是第一偏移电压的两倍。