[发明专利]溅射装置

说明书

本发明提供一种溅射装置。本发明一实施例的溅射装置包括：工艺腔室；溅射靶，设置于所述工艺腔室的内部；基板架，与所述溅射靶相对配置，用于支撑待沉积溅射靶物质的基板；以及溅射靶驱动部，以使所述溅射靶倾斜的方式旋转驱动所述溅射靶。

技术领域

本发明涉及一种溅射装置，更详细而言，涉及一种在基板上沉积薄膜的溅射装置。

背景技术

溅射装置为通过使等离子体离子加速并与溅射靶(Sputtering Target)碰撞而在基板上沉积靶物质的设备。如果在真空状态下施加电压并注入氩(Ar)气或氧(O₂)气等，则在氩气或氧气等被电离的同时这些离子与溅射靶碰撞。此时，从溅射靶中释放原子，释放出的原子附着在半导体元件用基板或液晶显示装置用基板上而形成薄膜。

与高温下进行的化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition；CVD)工艺相比，溅射装置具有在低温下也能够形成薄膜并且能够以比较简单的结构在短时间内形成薄膜的优点，因此在制造半导体元件或液晶显示装置时被广泛利用。

但是，随着基板的大面积化，需要具备多个溅射靶，并且产生等离子体的工艺腔室的大小也会增加。此时，具有因产生在工艺腔室内部的等离子体的分布不均匀而形成于基板的薄膜不均匀的问题。鉴于此，通过在多个溅射靶之间配置接地护罩(ground shield)来均匀地形成工艺腔室内部的等离子体分布。

但是，具有如下的问题：由于接地护罩的存在，形成于与溅射靶上部相对的基板部位和与接地护罩上部相对的基板部位的薄膜的厚度及密度不同，从而降低薄膜的均匀性。特别是，在使用对膜质的微小差异反应较大的氧化物系列的溅射靶的情况下，薄膜的均匀性确保比较重要。

发明内容

为了解决上述问题，本发明一实施例提供一种通过旋转驱动溅射靶而均匀地形成薄膜的溅射装置。

本发明一实施例的溅射装置包括：工艺腔室；溅射靶，被设置于所述工艺腔室的内部；基板架，与所述溅射靶相对配置，用于支撑待沉积溅射靶物质的基板；以及溅射靶驱动部，以使所述溅射靶倾斜的方式旋转驱动所述溅射靶。

可具备多个所述溅射靶，所述溅射靶驱动部能够对多个所述溅射靶中的每一个进行驱动，以使多个所述溅射靶中的每一个分别倾斜。

所述溅射靶可形成为具有平面的杆(bar)形状。

所述溅射靶驱动部可包括用于旋转所述溅射靶的电动机，所述电动机以沿与所述溅射靶的长度方向平行的方向延伸的轴为中心旋转驱动所述溅射靶。

所述溅射靶可以以25rpm至35rpm的速度旋转。

所述溅射靶可在30度至45度的角度范围内旋转。

所述溅射靶可通过靶架来支撑，所述靶架与第一电极连接，所述基板架与第二电极连接，通过对所述第一电极和所述第二电极施加极性相反的电压，从而在所述工艺腔室的内部形成等离子体。

本发明一实施例的溅射装置在所述溅射靶的下部可进一步包括磁体，所述磁体用于将形成于所述工艺腔室的内部的等离子体维持在所述溅射靶的上部。

本发明一实施例的溅射装置可进一步包括沉积掩模，所述沉积掩模被配置在所述溅射靶与被支撑在所述基板架的基板之间。

所述溅射靶和被支撑在所述基板架的基板可被配置为以140mm至160mm的间隔相隔。

本发明一实施例的溅射装置可至少具备两个以上的所述溅射靶，并且可进一步包括被配置在所述溅射靶之间的至少一个接地护罩。

所述接地护罩可形成为沿所述溅射靶的长度方向延伸。

所述接地护罩可由钛(Titanium)来形成。