[发明专利]一种用于硅基多晶硅薄膜淀积的装置和方法

权利要求书

1.一种用于硅基多晶硅薄膜淀积的装置，其特征在于，该装置包括：沉积主腔体、进气管、主气体输送通道、副气体输送通道、气体弥散孔和密封法兰；其中，主气体输送通道和副气体输送通道安装在沉积主腔体内，副气体输送通道与主气体输送通道垂直相连；进气管的一端经密封法兰连接主气体输送通道，另一端连接位于沉积主腔体外部的源气体MFC；气体弥散孔均匀分布在副气体输送通道上。

2.根据权利要求1所述的用于硅基多晶硅薄膜淀积的装置，其特征在于，所述副气体输送通道共有三组，等间距的连接在主气体输送通道上。

3.根据权利要求1所述的用于硅基多晶硅薄膜淀积的装置，其特征在于，每个副气体输送通道上均匀分布6-10组气体弥散孔，所述气体弥散孔的形状为等边三角形，三角形的边长为3-6mm。

4.根据权利要求1所述的用于硅基多晶硅薄膜淀积的装置，其特征在于，所述主气体输送通道和副气体输送通道于沉积主腔体为一体成型，主气体输送通道和副气体输送通道均为沉积主腔体内壁上的原型通道。

5.根据权利要求1所述的用于硅基多晶硅薄膜淀积的装置，其特征在于，所述沉积主腔体的长度为1100-8900mm，内径为1500-5000mm；所述进气管的长度为100-200mm。

6.根据权利要求5所述的用于硅基多晶硅薄膜淀积的装置，其特征在于，所述密封法兰的外径为1800-5300mm，厚度为150-300mm。

7.根据权利要求5所述的用于硅基多晶硅薄膜淀积的装置，其特征在于，所述主气体输送通道的进气口直径为8-15mm，壁厚为3-5mm；副气体输送通道的内径为60-100mm，壁厚为3-5mm，长度为5000-8500mm；所述气体弥散孔的形状为等边三角形，三角形的边长为3-6mm。

8.一种利用权利要求1所述的装置淀积硅基多晶硅薄膜的方法，其特征在于，它包括以下步骤：

1)在垂直炉或者水平炉上安装所述装置；

2)设定温度和压力；

3)设定MFC硅烷流量；

4)开启硅烷流量进行多晶膜沉积；

5)根据膜厚要求计算沉积时间，时间到达后关闭硅烷，进行腔体净化；

6)取出硅片，进行表面检测、膜厚测试，根据SEMI标准计算片内和片间均匀性；

7)取出1片进行腐蚀测试表面净区深度。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，腔体内温度为700-720℃，腔体内沉积压力为500-700MT。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，硅烷流量为0.05-0.15SLM。