[发明专利]一种用于拉制区熔单晶硅的反射器在审
| 申请号： | 201611125259.4 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108193262A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李明飞;闫志瑞;王永涛;陈海滨;李宗峰;李磊 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/20 | 分类号： | C30B13/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反射器 单晶 单晶硅 拉制 放肩 温度变化梯度 反射器结构 圆台形结构 圆柱体结构 侧壁上沿 单晶热场 等径过程 漏斗形 等径 减小 狭缝 下端 轴向 收尾 口径 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于拉制区熔单晶硅的反射器，其特征在于，该反射器呈漏斗形，其上部为圆台形结构，下部为圆柱体结构；上部的下端口径与下部的直径相同。
2.根据权利要求1所述的用于拉制区熔单晶硅的反射器，其特征在于，所述上部的上端口径为260mm，下端口径为180mm。
3.根据权利要求1所述的用于拉制区熔单晶硅的反射器，其特征在于，所述反射器的上部与下部的高度相同。
4.根据权利要求3所述的用于拉制区熔单晶硅的反射器，其特征在于，所述反射器的上部与下部的高度均为30mm。
5.根据权利要求1所述的用于拉制区熔单晶硅的反射器，其特征在于，所述圆柱体的侧壁上沿轴向等间距开设有数个狭缝。
6.根据权利要求5所述的用于拉制区熔单晶硅的反射器，其特征在于，所述狭缝的宽度为2mm，两狭缝之间的间距为10mm。
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