[发明专利]硒化镉量子点掺杂液晶材料的全息3D显示屏的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示屏的制备方法，特别是涉及一种3D显示屏的制备方法，还涉及一直全息介质的制备方法，应用于电致发光显示器件技术领域。

背景技术

液晶是处在晶态固体和各向同性液体之间的一个中间相。在某一温度范围内，处在液晶相的液晶材料既具有类似于晶体的各向异性，又具有像普通液体的流动性。液晶显示出各向异性，是由于它的细长棒状分子结构，这种结构致使在分子的轴向和垂直于分子轴向的方向上具有不同的物理特性。通过近几年对液晶光折变特性方面的研究进展可以看出，量子点掺入液晶对液晶的非线性有很大的改善，这使得液晶应用于光学信息处理、全息存储等方面有重要的研究意义。同时，由于量子点材料是当前的研究热点，与体材料相比具有独特的量子尺寸效应、表面效应等物理性质。现有的全息3D显示材料衍射效率低，响应时间长，性能不够理想，不能适应新型显示产品产业发展的需要。

硒化镉量子点是准零维的纳米材料，由少量的原子所构成。一般来说，量子点三个维度的尺寸都在纳米级别，外观恰似一极小的点状物，其内部电子在各方向上的运动都受到局限，所以量子限域效应特别显著。科学家已经发明许多不同的方法来制造量子点，并预期这种纳米材料在二十一世纪的纳米电子学上有极大的应用潜力，但目前还未见将硒化镉量子点应用于3D显示屏的记载。

发明内容

为了解决现有技术问题，本发明的目的在于克服已有技术存在的不足，提供一种硒化镉量子点掺杂液晶材料的全息3D显示屏的制备方法，能制备硒化镉量子点掺杂液晶材料，形成全息3D显示介质，即通过按一定比列配置含有量子点的液晶来改变全息3D显示材料的介电常数，以及独特的量子尺寸效应、表面效应等物理性质，能够使全息显示材料的衍射效率得到提高，响应速度变快，最终制备性能良好的全息3D显示屏。

为达到上述发明创造目的，本发明采用下述技术方案：

一种硒化镉量子点掺杂液晶材料的全息3D显示屏的制备方法，包括如下步骤：

(1)硒化镉量子点掺杂液晶材料的制备：

在液晶中掺杂硒化镉量子点制备全息3D显示屏材料时，根据重量百分比计算方法，硒化镉量子点的掺杂重量比例为0.01～10％，液晶总重量为90～99.99％。将量子点加入液晶后形成液晶溶液，将获得的配制好的液晶溶液混合均匀，得到量子点掺杂液晶全息3D显示材料混合液；作为本发明优选的技术方案，所采用硒化镉量子点是由有限数目的原子组成，硒化镉量子点的最大直径尺寸为0.2～900nm，三个维度尺寸均在纳米数量级；作为本发明优选的技术方案，所采用的硒化镉量子点为球形或类球形等的三个维体系，硒化镉量子点中还含有由IIB～ⅥA或IIIA～VA元素组成的半导体材料制成的纳米粒子；作为本发明优选的技术方案，液晶的材料可以为近晶相液晶、胆甾相液晶、向列相液晶；在液晶中掺杂硒化镉量子点，将配制好的液晶溶液混合均匀，使硒化镉量子点溶于液晶并达到饱和状态；

(2)液晶盒的制备：

a.采用带有ITO导电膜的玻璃作为ITO玻璃基片，ITO是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，将ITO玻璃基片切割成设定的尺寸，经过清洗、超声、烘烤环节，将ITO玻璃基片进行洁净化处理，将洁净的ITO玻璃基片取出两片，均匀涂上质量百分比浓度不低于0.01-2wt.％的聚乙烯醇有机溶液，在ITO玻璃基片形成聚乙烯醇涂层，再放入烤箱中烘烤，使ITO玻璃基片表面的聚乙烯醇涂层固化；

b.取出烘烤好的两片带有聚乙烯醇涂层的ITO玻璃基片，然后将两片ITO玻璃基片之间垫入聚脂薄膜，并控制两片ITO玻璃基片间间隙厚度，形成具有狭缝腔室结构的液晶盒；优选通过调节聚酯薄膜的厚度来决定液晶盒的厚度；

(3)全息3D显示屏的制备：

ⅰ.采用在所述步骤(1)中制备的全息3D显示材料混合液，取用全息3D显示屏材料混合液的上清液，利用毛细引流方法，将全息3D显示材料混合液的上清液灌入在所述步骤(2)的b步骤中制备的液晶盒的狭缝腔室中，在液晶盒中，使得处在液晶与玻璃界面处的第一层液晶分子按特定的方向整齐排列，得到液晶微单元；

ⅱ.将一系列在所述步骤ⅰ中制备的液晶微单元组合形成硒化镉量子点掺杂液晶全息3D显示屏。

作为本发明优选的技术方案，在全息3D显示屏制备过程中，保持在室温的干燥环境下。

本发明与现有技术相比较，具有如下显而易见的突出实质性特点和显著优点：