[发明专利]硒化镉量子点掺杂液晶材料的全息3D显示屏的制备方法

权利要求书

1.一种硒化镉量子点掺杂液晶材料的全息3D显示屏的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)硒化镉量子点掺杂液晶材料的制备：

在液晶中掺杂硒化镉量子点制备全息3D显示屏材料时，根据重量百分比计算方法，硒化镉量子点的掺杂重量比例为0.01～10％，液晶总重量为90～99.99％，将硒化镉量子点加入液晶后形成液晶溶液，将获得的配制好的液晶溶液混合均匀，得到量子点掺杂液晶全息3D显示材料混合液。

(2)液晶盒的制备：

a.采用带有ITO导电膜的玻璃作为ITO玻璃基片，将ITO玻璃基片切割成设定的尺寸，经过清洗、超声、烘烤环节，将ITO玻璃基片进行洁净化处理，将洁净的ITO玻璃基片取出两片，均匀涂上质量百分比浓度不低于0.01-2wt.％的聚乙烯醇有机溶液，在ITO玻璃基片形成聚乙烯醇涂层，再放入烤箱中烘烤，使ITO玻璃基片表面的聚乙烯醇涂层固化，对聚乙烯醇涂层进行定向摩擦等处理；

b.取出处理好的的两片带有聚乙烯醇涂层的ITO玻璃基片，然后将两片ITO玻璃基片之间垫入聚脂薄膜，并控制两片ITO玻璃基片间间隙厚度和取向方向，形成具有狭缝腔室结构的液晶盒；

(3)全息3D显示屏的制备：

ⅰ.采用在所述步骤(1)中制备的全息3D显示材料混合液，取用全息3D显示屏材料混合液，利用毛细引流或其他方法，将全息3D显示材料混合液灌入在所述步骤(2)的b步骤中制备的液晶盒的狭缝腔室中，得到液晶微单元；

ⅱ.将一系列在所述步骤ⅰ中制备的液晶微单元组合形成硒化镉量子点掺杂液晶全息3D显示屏。

2.根据权利要求1所述硒化镉量子点掺杂液晶材料的全息3D显示屏的制备方法，其特征在于：在所述步骤(1)中，所采用硒化镉量子点是由有限数目的原子组成，硒化镉量子点的最大直径尺寸为0.2～900nm。

3.根据权利要求1或2所述硒化镉量子点掺杂液晶材料的全息3D显示屏的制备方法，其特征在于：在所述步骤(1)中，所采用的硒化镉量子点为球形、类球形等的三个维体系，硒化镉量子点中还含有由IIB～ⅥA或IIIA～VA元素组成的半导体材料制成的纳米粒子。

4.根据权利要求1或2所述硒化镉量子点掺杂液晶材料的全息3D显示屏的制备方法，其特征在于：在所述步骤(1)中，液晶的材料可以为近晶相液晶、胆甾相液晶、向列相液晶。

5.根据权利要求1或2所述硒化镉量子点掺杂液晶材料的全息3D显示屏的制备方法，其特征在于：在所述步骤(1)中，在向列液晶中掺杂硒化镉量子点，将配制好的液晶溶液混合均匀，使硒化镉量子点溶于向列液晶并达到饱和状态。

6.根据权利要求1或2所述硒化镉量子点掺杂液晶材料的全息3D显示屏的制备方法，其特征在于：在所述步骤(2)的b步骤中，通过调节垫片薄膜的厚度来决定液晶盒的厚度。