[发明专利]一种封装结构的解剖、重现的系统和方法在审
申请号: | 201611116127.5 | 申请日: | 2016-12-07 |
公开(公告)号: | CN106599433A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 赵鹤然;张斌;马艳艳 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人: | 王倩 |
地址: | 110032 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 结构 解剖 重现 系统 方法 | ||
1.一种封装结构的解剖、重现的系统,其特征在于包括紧固单元、切割单元、清洗单元、化学成分探测单元、传动单元、结构形貌探测单元和计算机;
紧固单元用于固定电子元件封装结构;
传动单元与紧固单元连接,用于根据计算机指令移动紧固单元位于切割单元、清洗单元、化学成分探测单元或结构形貌探测单元的下方;
切割单元,用于对电子元件封装结构进行切割;
清洗单元,用于对切割后的电子元件封装结构切面进行清洗;
结构形貌探测单元,用于对切面扫描得到切面的二维图像并发送至计算机;
化学成分探测单元,用于对切面扫描得到切面中某些点的化学元素成分发送至计算机;
计算机,用于根据二维图像得到该切面的二维几何模型,进而通过拉伸和堆叠形成电子元件封装结构的三维几何模型;再根据各切面中某些点的化学元素成分形成电子元件封装结构的三维模型。
2.根据权利要求1所述的一种封装结构的解剖、重现的系统,其特征在于所述切割单元采用激光切割机、湿法腐蚀机或干法研磨机中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种封装结构的解剖、重现的系统,其特征在于所述清洗单元采用等离子清洗机、气象清洗机或有机溶剂清洗机中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种封装结构的解剖、重现的系统,其特征在于所述结构形貌探测单元为X射线发生仪、光学显微镜或超声扫描仪中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种封装结构的解剖、重现的系统,其特征在于所述化学成分探测单元为扫描电镜。
6.一种封装结构的解剖、重现的方法,其特征在于包括以下步骤:
1)计算机控制传动单元传动紧固单元位于切割单元下方;切割单元对电子元件封装结构从该结构的某表面进行切割;
2)计算机控制传动单元传动清洗单元位于切割单元下方;清洗单元对切割后的电子元件封装结构切面进行清洗;
3)计算机控制传动单元传动结构形貌探测单元位于切割单元下方;结构形貌探测单元对该面扫描得到切面的二维图像并发送至计算机;
4)计算机控制传动单元传动化学成分探测单元位于切割单元下方;化学成分探测单元扫描该切面得到切面中某些点的化学元素成分发送至计算机;
5)计算机根据二维图像得到该切面的二维几何模型;重复步骤1)-4),得到多个切面的二维几何模型;通过拉伸和堆叠形成电子元件封装结构的三维几何模型;再根据各切面中某些点的化学元素成分形成电子元件封装结构的三维模型。
7.根据权利要求6所述的一种封装结构的解剖、重现的方法,其特征在于所述计算机根据二维图像得到该切面的二维几何模型包括以下步骤:
计算机对采集到的二维图像提取图像中的线条,并将线条中各点坐标输入到CAE中,形成该切面的二维几何模型。
8.根据权利要求6所述的一种封装结构的解剖、重现的方法,其特征在于所述通过拉伸和堆叠形成电子元件封装结构的三维几何模型包括以下步骤:
根据某切面的二维几何模型所在切面与下一个二维几何模型所在切面之间的距离作为拉伸高度,将该切面的二维几何模型拉伸形成对应的三维几何模型;
将所有切面的二维几何模型对应的三维几何模型依次堆叠,形成电子元件封装结构的三维几何模型。
9.根据权利要求6所述的一种封装结构的解剖、重现的方法,其特征在于所述根据各切面中某些点的化学元素成分形成电子元件封装结构的三维模型包括以下步骤:
根据各切面中某些点的化学元素成分、调用CAE中与化学元素成分相同的材料属性信息;根据各切面中这些点的坐标、将材料属性信息附加给三维几何模型;然后将相邻且具有相同材料属性信息的三维几何模型合并成一体,最终形成电子元件封装结构的三维模型。
10.根据权利要求6所述的一种封装结构的解剖、重现的方法,其特征在于步骤1)之前预先将电子元件封装结构进行灌封。
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