[发明专利]长寿命的环件结构有效
申请号: | 201611106170.3 | 申请日: | 2016-12-05 |
公开(公告)号: | CN108149204B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 姚力军;潘杰;相原俊夫;王学泽;刘霞 | 申请(专利权)人: | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;吴敏 |
地址: | 315400 浙江省宁波*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 寿命 结构 | ||
本发明提供一种长寿命的环件结构,安装于溅射设备内且环绕溅射靶材,包括:环件本体,包括朝向溅射靶材的内壁以及与内壁相对的外壁;固定于外壁上的安装配件,用于将环件本体安装于溅射设备内,安装配件包括连接部,连接部用于固定于溅射设备内。本发明环件结构包括固定于环件本体外壁上的安装配件,安装配件包括连接部,用于固定于溅射设备内,从而将环件本体安装于溅射设备内;相比通过贯穿环件本体的连接部以实现固定作用的安装配件,本发明安装配件不仅可以起到固定作用,而且由于连接部未凸出于环件本体内壁,因此连接部未暴露于溅射环境中,即不参与溅射工艺,从而可以避免溅射工艺过程中所述连接部的损耗,进而延长环件结构的使用寿命。
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种长寿命的环件结构。
背景技术
在半导体制造中常用到溅射沉积(Sputtering Deposition,SD)工艺,所述溅射沉积工艺用于将金属溅射到基底表面上以形成薄膜。由于采用溅射沉积工艺制备的薄膜具有高硬度、低摩擦系数、很好的耐磨性和化学稳定性等优点,现已成为半导体制备领域中最为普遍的薄膜形成工艺之一。
通过高能量粒子轰击溅射靶材,使被轰击的靶材原子获得足够的能量,从溅射靶材的溅射面逃逸,并在电场力或者磁力的作用下迁移至基底表面上,所述原子在待沉积的基底表面沉淀积累以形成薄膜。其中,所述溅射沉积工艺是通过专门的溅射设备来完成的。
在溅射过程中,通常在溅射设备中安装环件结构,以约束溅射粒子的运动轨迹;也就是说,所述环件结构在溅射过程中起到聚焦高能量粒子的作用。
但是,现有技术环件结构的使用寿命较短。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种长寿命的环件结构,延长环件结构的使用寿命。
为解决上述问题,本发明提供一种长寿命的环件结构,包括:环件本体,包括朝向所述溅射靶材的内壁以及与所述内壁相对的外壁;固定于所述外壁上的安装配件,用于将所述环件本体安装于所述溅射设备内,所述安装配件包括连接部,所述连接部用于固定于所述溅射设备内。
可选的,所述溅射设备包括固定件;所述连接部包括背向所述环件本体的连接部端面;所述连接部端面中设有凹槽,所述凹槽与所述固定件相匹配,用于固定于所述固定件上。
可选的,所述固定件为螺钉,所述凹槽的侧壁具有螺纹。
可选的,所述连接部的形状为圆柱体。
可选的,所述安装配件还包括:与所述外壁相连的底部结构、以及凸出于所述底部结构且背向所述环件本体的侧壁结构;所述连接部凸出于所述底部结构且背向所述环件本体,所述侧壁结构环绕所述连接部。
可选的,所述底部结构的形状为圆柱体。
可选的,所述侧壁结构的形状为圆环形。
可选的,所述安装配件焊接于所述外壁上。
可选的,所述环件本体和安装配件的材料相同。
可选的,所述环件本体的厚度为3mm至6mm。
与现有技术相比,本发明的技术方案具有以下优点:
本发明所述环件结构包括固定于环件本体外壁上的安装配件,所述安装配件包括连接部,所述连接部用于固定于所述溅射设备内,从而将所述环件本体安装于所述溅射设备内;相比通过贯穿环件本体的连接部以实现固定作用的安装配件,本发明所述安装配件不仅可以起到固定作用,而且由于所述连接部未凸出于所述环件本体的内壁,因此所述连接部未暴露于溅射环境中,即不参与溅射工艺,从而可以避免溅射工艺过程中所述连接部的损耗,进而可以延长所述环件结构的使用寿命。
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