[发明专利]半导体晶圆电沉积方法及半导体晶圆电沉积装置

权利要求书

1.一种半导体晶圆电沉积方法，其特征在于，阳极(2)仅针对待电沉积半导体晶圆(15)的中部进行电沉积，以避免电场线在所述待电沉积半导体晶圆(15)的边缘处集中并产生边缘效应。

2.一种用于实现如权利要求1所述半导体晶圆电沉积方法的半导体晶圆电沉积装置，其特征在于，所述电沉积装置包括用于固定待电沉积半导体晶圆(15)的夹具、设置在待电沉积半导体晶圆(15)前方的挡板(1)、以及设置在所述挡板(1)前方的阳极(2)，所述待电沉积半导体晶圆(15)与所述挡板(1)之间留有间隔；在所述挡板(1)上开设有挡板通孔(11)，所述挡板通孔(11)的位置对应于所述待电沉积半导体晶圆(15)且所述挡板通孔(11)的面积小于所述待电沉积半导体晶圆(15)的面积。

3.根据权利要求2所述的半导体晶圆电沉积装置，其特征在于，在所述阳极(2)的外侧包覆有屏蔽罩(3)，在所述屏蔽罩(3)朝向所述待电沉积半导体晶圆(15)的一侧上设置有屏蔽罩通孔(31)；所述屏蔽罩通孔(31)与所述挡板通孔(11)至少部分对齐。

4.根据权利要求2所述的半导体晶圆电沉积装置，其特征在于，所述挡板(1)由绝缘材料制成。

5.根据权利要求2所述的半导体晶圆电沉积装置，其特征在于，所述电沉积装置还包括壳体(4)，所述壳体(4)内填有电沉积液(5)，所述夹具、挡板(1)和阳极(2)均设置在所述壳体(4)内。

6.根据权利要求5所述的半导体晶圆电沉积装置，其特征在于，所述挡板(1)的底边、左侧边和右侧边分别抵接在所述壳体(4)的底面、左侧面和右侧面上，所述挡板(1)的边缘高出所述电沉积液(5)的液面。

7.根据权利要求2所述的半导体晶圆电沉积装置，其特征在于，所述电沉积装置还包括阴极板(6)，所述夹具设置在所述阴极板(6)上；所述挡板(1)通过螺栓(7)固定在所述阴极板(6)上。

8.根据权利要求2至7任一所述的半导体晶圆电沉积装置，其特征在于，所述夹具包括与阴极导杆连接的阴极悬挂(8)、连接至所述阴极悬挂(8)的导电板(9)、以及连接至所述导电板(9)的导电环(10)；电沉积时所述待电沉积半导体晶圆(15)镶嵌在所述导电环(10)内，所述待电沉积半导体晶圆(15)的外边缘抵接在所述导电环(10)的内侧壁上；所述导电板(9)的外侧包覆有绝缘层。

9.根据权利要求8所述的半导体晶圆电沉积装置，其特征在于，所述阴极悬挂(8)由金属材料制成。

10.根据权利要求2至7任一所述的半导体晶圆电沉积装置，其特征在于，所述夹具包括与阴极导杆连接的阴极悬挂(8)、连接至所述阴极悬挂(8)的多根导线、以及连接至所述导线的导电环(10)；电沉积时所述待电沉积半导体晶圆(15)镶嵌在所述导电环(10)内，所述待电沉积半导体晶圆(15)的外边缘抵接在所述导电环(10)的内侧壁上；所述导线的外侧包覆有绝缘层。