[发明专利]超薄晶圆翘曲的控制方法有效
申请号: | 201611103498.X | 申请日: | 2016-12-05 |
公开(公告)号: | CN106783674B | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 步建康;徐朝军;李士垚 | 申请(专利权)人: | 河北昂扬微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L27/02 |
代理公司: | 13113 石家庄科诚专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 张红卫;刘谟培<国际申请>=<国际公布> |
地址: | 050030 河北省石家庄市裕*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超薄 晶圆翘曲 控制 方法 | ||
1.一种超薄晶圆翘曲的控制方法,所述超薄晶圆包括若干单个芯片,每一单个芯片包括若干元胞,其特征在于:在版图设计时,根据单个芯片的版图设计的几何形状确定其表面张力的方向,然后排列单个芯片,使任意相邻单个芯片的表面张力指向相反方向;
所述芯片的版图设计的几何形状为相邻两边不相等的矩形;
其中,单个芯片的设计过程包括以下步骤,①所述单个芯片在设计时,将单个芯片所含的每个元胞的长度设计为宽度的2倍;
②每个元胞组由第一元胞、第二元胞、第三元胞组成,将第一元胞竖置,第二元胞和第三元胞上下水平叠置于第一元胞的同一侧,且第二元胞和第三元胞的表面张力指向远离第一元胞的方向;
③每一单个芯片包括至少一个元胞组;
当每一单个芯片所包括的元胞组数量为至少两个时,任一元胞组中三个元胞的分布状态,与该元胞组的周围的任一元胞组的三个元胞的分布状态于超薄晶圆所在平面内旋转180°后所呈的状态相同;
至此,完成单个芯片中元胞的排列。
2.根据权利要求1所述的超薄晶圆翘曲的控制方法,其特征在于:
①每一元胞包括若干元胞单元,在设计单个元胞时,将其所含的每个元胞单元的长度设计为宽度的2倍;
②三个元胞单元第一元胞单元、第二元胞单元、第三元胞单元组成一个元胞单元组,将第一元胞单元竖置,第二元胞单元和第三元胞单元水平叠置于第一元胞单元的同一侧,且第二元胞单元和第三元胞单元的表面张力指向远离第一元胞单元的方向;
③每一元胞包括至少一个元胞单元组;
当每一元胞所包括的元胞单元组数量为至少两个时,任一元胞单元组中三个元胞单元的分布状态,与该元胞单元组的周围的任一元胞组的三个元胞的分布状态于超薄晶圆所在平面内旋转180°后所呈的状态相同;
至此,完成单个元胞中元胞单元的排列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造