[发明专利]声波谐振器及其制造方法

说明书

本申请要求于2016年2月18日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0019011号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

下面的描述涉及一种声波谐振器及用于制造所述声波谐振器的方法。

背景技术

随着通信技术已迅速发展，需要信号处理和射频(RF)组件技术的相应的发展。具体来说，根据无线通信装置的小型化的趋势，射频组件技术的小型化已经十分必要。射频组件技术的小型化的示例包括利用半导体制造技术的呈体声波(BAW)谐振器的形式的滤波器。

体声波(BAW)谐振器指的是这样的谐振器：其中，谐振产生元件包括沉淀在类似硅晶圆的半导体基板上的压电介电材料的薄膜并利用压电介电材料的压电特性被实现为滤波器。

体声波(BAW)谐振器的应用包括(但不限于)移动通信装置、化学和生物装置的小且轻量化的滤波器、振荡器、谐振元件和声波谐振质量传感器。

发明内容

提供该发明内容以简化形式来介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述该构思。本发明内容无意限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征，也无意用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总的方面中，一种声波谐振器包括：基板，其中设置有过孔并具有形成在所述基板的第一表面上的膜结构；盖子，容纳所述膜结构并结合到所述基板。所述盖子包括与所述膜结构接触的支撑块。

所述膜结构可覆盖所述过孔的至少一部分。

所述支撑块可支撑覆盖所述基板的过孔的膜结构。可在所述支撑块的与膜结构接触的表面上设置绝缘膜。所述绝缘膜可包括氧化膜。

所述支撑块的邻近所述膜结构的表面可包括被构造为接触膜结构的突起。所述突起可具有逐渐减小的截面积。所述支撑块可与膜结构线接触。

所述膜结构可包括电连接到设置在所述过孔中的连接导体的连接电极，所述支撑块可接触所述连接电极。所述连接电极可设置在所述过孔之上。

所述膜结构可包括多层，所述多层中的至少一层为压电层。

在另一总的方面中，一种制造声波谐振器的方法包括：在基板的第一表面上形成膜结构；将盖子结合到基板，使得设置在盖子中的支撑块接触膜结构。

所述方法还可包括：在盖子结合到基板之后，在基板中形成过孔，然后在过孔的内壁上形成连接导体。

过孔的形成可包括：在支撑块与膜结构彼此接触的部分之下形成过孔。

盖子结合到基板还可包括：在支撑块的与膜结构接触的表面上形成绝缘膜。

在另一总的方面中，一种声波谐振器包括：基板，具有设置为超过所述基板的厚度的过孔；膜，设置在所述过孔的第一端上；盖，设置在所述膜之上。所述盖包括从所述盖的内表面凸出并接触所述膜以抵消来自所述过孔的第二端的压力的凸出物。

所述盖可结合到所述基板。

所述凸出物可具有被构造为使所述凸出物与所述膜之间接触的面积最小化的形状。

所述凸出物的接触所述膜的表面可以是绝缘体。

所述膜可包括连接到设置在所述过孔中的导体的电极。

通过下面的具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。

附图说明

图1是示意性地示出根据实施例的声波谐振器的截面图。

图2是示意性地示出具有图1中所示的声波谐振器的封装件的截面图。

图3至图5是示出根据实施例的在利用用于制造的方法的制造期间的声波谐振器的示图。

图6是示意性地示出根据另一实施例的声波谐振器的截面图。

图7示出图6的′A′部分的放大截面图。

在所有的附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按比例绘制，并且为了清楚、说明和方便起见，附图中元件的相对尺寸、比例和描绘可被放大。

具体实施方式

提供以下具体实施方式，以帮助读者获得在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后,在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及其等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作顺序仅仅是示例，并且其并不局限于在此所阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作外，可做出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的改变。此外，为了更加清楚和简洁，可省去本领域中公知的特征的描述。