[发明专利]一种高响应度的有机红外探测器件及其制备方法有效
申请号: | 201610547981.0 | 申请日: | 2016-07-13 |
公开(公告)号: | CN106025081B | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | 于军胜;王晓;范谱;孔天宇 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230 | 代理人: | 杨保刚,晏辉 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 响应 有机 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于有机光电子技术领域,具体涉及采用功能掺杂层的一种高响应度的有机红外探测器件。
背景技术
光探测技术的不断发展对光接收设备提出了越来越高的要求。红外探测器是红外技术中最重要的应用之一,制作高响应度,响应波长在950nm~1200nm的近红外光探测器,并最终实现光电集成接收机芯片一直是人们追求的目标。基于无机半导体材料的红外光探测器件取得了很大的进展,但是无机半导体材料在外延生长和掺杂方面还有问题,也存在着制作工艺复杂,材料成本昂贵的不足。随着有机半导体材料的迅猛发展和有机光电子器件的深入研究,基于有机半导体材料的红外光探测器件得到了科研人员的重视,并取得了一定的进展。与无机红外光探测器相比,有机半导体材料具有质轻,价廉,加工性能优异等特点,更易制备小体积,低功耗,低成本的红外探测器件,解决了无机红外光探测器中普遍存在的设备昂贵、工艺复杂等不足。
目前,有机红外探测材料与器件的研究在国际上还处于起步阶段。而且,由于有机半导体分子间通常为范德华作用力,载流子迁移率低,光敏材料电阻率很大,从而导致有机红外探测器件响应度较低,严重制约了其发展和应用。因此,提高有机红外光探测响应度是其需要解决的主要问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种高响应度的有机红外探测器件,解决现有机红外探测器件光响应度低的问题。
为解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案是:
一种高响应度的有机红外探测器件,由下而上依次为透明衬底、导电阳极、功能掺杂层、光活性层、功能掺杂层和金属阴极,功能掺杂层由聚(N,N’双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)(Poly-TPD)和二氧化钛纳米颗粒(TiO2)混合组成,质量百分比为:Poly-TPD 90%~99%,TiO2 1%~10%。
进一步地,所述功能掺杂层厚度为5nm~15nm。
进一步地,所述透明衬底的材料为玻璃、透明聚合物柔性材料或者生物可降解的柔性材料中的一种或者多种;所述透明聚合物柔性材料为聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂或聚丙烯酸中的一种或多种的组合。
进一步地,所述导电阳极材料为氧化铟锡、导电聚合物聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐或碳纳米管中的任意一种或多种的组合。
进一步地,所述光活性层能吸收波长950nm~1200nm的近红外光。
进一步地,所述光活性层材料为聚(4,4’-双(2-乙基己基)二噻吩并[3,2-b:2’,3’-d]噻咯)-2,6-联苯-ALT-(2,1,3-苯并噻二唑)-4,7-联苯(PSBTBT)、[2,6-(4,4-二-(2-乙基己基)-4H-环戊烯[2,1-b;3,4-b’]-二噻吩)-交替-4,7-(2,1,3-苯并噻二唑)]共聚物(PCPDTBT)、噻吩(3,4-b)并噻吩和苯并二噻吩的共聚物(PTB),氯代亚-2,3-萘酞菁硼(SubNc)、氯代酞菁铝(ClAlPc)、萘酞菁铜(CuNc),硫化铅(PbS)中的一种或多种的组合。
进一步地,所述金属阴极的材料是金属薄膜或合金薄膜,所述金属薄膜为锂、镁、钙、锶、铝或铟金属薄膜,所述合金薄膜为锂、镁、钙、锶、铝或铟与铜、金或银的合金;金属阴极厚度为100nm。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
(1)本发明所涉及的功能掺杂层,Poly-TPD材料具有较高的最低未占轨道(LUMO)能级,TiO2充当电子陷阱,二者结合能够阻止器件内部电子的传输,在反向偏压下,使得空穴从阴极一端二次注入,从而增加器件的光电流,提高光响应度。
(2)本发明采用的器件结构是“三明治”式的结构,所有功能层材料采用蒸镀和旋涂成膜,器件制备方法较基于无机材料的红外光探测器件的制备方法简单,且易操作。
(3)器件对950nm~1200nm波段的红外光的敏感。本发明所述的有机红外探测器件具有较高的响应度。
附图说明
图1是本发明的结构示意图;
图2是本发明的实施例二中所述器件在红外光(波长为950nm,强度为1.6mW/cm2)照射和无红外光照射条件下的电流密度-电压特性曲线;
图3是本发明的实施例三中所述器件在红外光(波长为950nm,强度为1.6mW/cm2)照射和无红外光照射条件下的响应曲线;
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