[发明专利]一种承载基台、曝光装置及曝光方法有效

专利信息
申请号: 201610214007.2 申请日: 2016-04-07
公开(公告)号: CN105629681B 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: 翟玉漫 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 柴亮;张天舒
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 承载 曝光 装置 方法
【说明书】:

发明提供一种承载基台、曝光装置及曝光方法,属于显示技术领域,其可解决现有的带凸起的承载基台影响基板曝光均匀性的问题。本发明的承载基台包括表面具有多个凸起的第一基台、具有多个通孔的第二基台以及温控单元,所述通孔容所述凸起穿过,温控单元独立控制第一基台和/或第二基台的温度,以使基板靠近承载基台的一侧的表面有凸起支撑处与其余位置的温度相同,这样规避由于基板表面温差对工艺造成的影响,使得基板曝光均匀。本发明的承载基台适用于各种曝光装置,尤其适用于超薄显示基板。

技术领域

本发明属于显示技术领域,具体涉及一种承载基台、曝光装置及曝光方法。

背景技术

在显示面板的制备过程中,光刻工艺是一项十分重要的工艺。目前的光刻工艺通常包括:涂敷光刻胶、前烘、曝光、显影以及后烘。其中,曝光是采用曝光光线通过掩膜板照射在光刻胶上,将光刻胶感光。

如图1所示,在进行曝光时需要使用到曝光装置,现有的曝光装置一般包括:光源1和承载基台4,其中光源1用于提供平行的曝光光线,承载基台4用于承载待曝光基板3,平行的曝光光线通过与待曝光基板3相匹配的掩模板2后均匀照射至待曝光基板3,并在待曝光基板3上形成与掩模板2一致的图形。承载基台4吸附固定并支撑基板3,若承载基台4为平面结构,则完成曝光的基板3取下来时,由于基板3与平面结构接触面积大,吸附力强易损坏基板3。因此通常如图2所示,承载基台4台面上设有凸起41,在实际曝光过程中,凸起41与待曝光基板3接触,减小基板3与承载基台4的接触面积,从而防止损坏基板3。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题:

承载基台4的凸起41会与待曝光基板3接触,而其余位置不与基板3接触,由于固体导热比空气快,与凸起41接触的基板3表面温度会比基板3其余位置表面温度高,造成与凸起41接触的基板3表面的光刻胶与其余位置的光刻胶形成差异,影响产品显示性能。随着基板3厚度越来越薄,这种问题越来越严重。

发明内容

本发明针对现有的带凸起的承载基台影响基板曝光均匀性的问题,提供一种承载基台、曝光装置及曝光方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是:

一种承载基台,用于承载基板,所述承载基台包括:

第一基台,所述第一基台表面具有多个凸起,所述凸起用于与基板接触并支撑基板;

第二基台,设于所述第一基台具有多个凸起的一面上,所述第二基台具有多个与所述凸起相匹配、并容所述凸起穿过的通孔;

温控单元,用于调节控制所述第一基台和/或所述第二基台的温度,以使基板表面温度相同。

优选的是,所述温控单元包括与所述第一基台连接的冷却水循环部件,用于降低所述第一基台的温度。

优选的是,所述温控单元包括与所述第二基台连接的升温部件,用于升高所述第二基台的温度。

优选的是,所述温控单元调节控制所述第一基台的温度至T1,所述温控单元调节控制所述第二基台的温度至T2,T2大于T1,且T2与T1的差值在0.1-0.3℃范围内。

优选的是,所述第一基台表面的多个凸起成矩阵排列。

优选的是,在垂直于所述第一基台方向上,所述凸起的高度均相同。

本发明还提供一种曝光装置,包括上述的承载基台。

优选的是,所述曝光装置还包括光源和掩膜板。

本发明还提供一种曝光方法,采用上述的曝光装置进行曝光,具体包括以下步骤:

将基板放置于第一基台的多个凸起上;

调节控制所述第一基台和/或所述第二基台的温度,以使基板表面温度相同;

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