[发明专利]抗高过载管帽的制作方法在审
申请号: | 201610185250.6 | 申请日: | 2016-03-29 |
公开(公告)号: | CN105690038A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 杨拓;李丰;江德凤 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | B23P15/00 | 分类号: | B23P15/00;F16L55/115 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 侯懋琪;侯春乐 |
地址: | 400060 重庆*** | 国省代码: | 重庆;85 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 过载 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于探测器封装的管帽,尤其涉及一种抗高过载管帽的制作方法。
背景技术
随着技术的发展,工程领域对探测器组件的抗过载能力要求越来越严苛,在某些特殊领域,要求探测器组件能够抵抗11000g的冲击,而现有的具备抗过载能力的探测器组件,其抗冲击能力上限一般仅有9000g左右,难以满足要求。
发明内容
针对背景技术中的问题,本发明提出了一种抗高过载管帽的制作方法,所述抗高过载管帽由光窗片和金属帽组成,所述金属帽中部设置有与所述光窗片匹配的光窗孔,光窗片设置在所述光窗孔内,光窗片上与金属帽接触的区域形成光窗封接区,金属帽上与光窗封接区匹配的区域形成连接区;其创新在于:所述抗高过载管帽按如下方法制作:
金属帽制作:
1)采用机加工方式,将金属帽加工成型;
2)采用PVD工艺在金属帽上的连接区表面形成金膜,金属帽制作完成;
光窗片制作:
A)预制蓝宝石材质的光窗片;
B)采用PVD工艺在光窗片表面形成氟化镁膜层;
C)采用PVD工艺在光窗片上的光窗封接区表面形成铬膜;
D)采用PVD工艺在铬膜表面形成镍膜;
E)采用PVD工艺在镍膜表面形成金膜;光窗片制作完成;
抗高过载管帽制作:
1]将光窗片放置在金属帽的光窗孔内;
2]采用低温钎焊工艺将光窗片和金属帽焊接在一起,抗高过载管帽制作完成;
所述低温钎焊工艺采用金锡合金作为焊料。
本发明的原理是:国外(主要指俄罗斯)同类产品,一般采用DM305玻璃制作光窗片,受限于材料,其光窗片的抗冲击性较低,导致整个管帽的抗冲击性能受限,于是发明人考虑采用强度较高的蓝宝石材料来制作光窗片;由于蓝宝石材料为非金属材料,采用低温钎焊工艺焊接光窗片和金属帽时,金锡合金的金属焊料无法将光窗片表面浸润,管帽的气密性难以满足要求,于是发明人考虑先对光窗片上的光窗封接区表面进行金属化处理,以利于金属焊料将光窗片表面浸润;金在加热状态下可以与金属焊料相互扩散紧密结合,是用于对光窗片进行金属化处理的首选,但金对蓝宝石材料的附着力较差,仅采用金膜作为金属化层,结构稳定性难以保证,为了使金层牢固地附着在蓝宝石材料表面,发明人又考虑采用复合金属层来作为金属化层:铬的机械性能较好,并且对蓝宝石材料表面的附着能力较强,于是发明人将铬作为金属化层的基层,再将金层设置在铬表面,经过多次试验后,发现,金与铬的膨胀系数差异较大,金属化处理时,金层与铬层之间存在较大的应力,影响金属化效果,为了消除应力的影响,发明人又在金层和铬层之间增加了镍层来作为过渡层,通过试验验证,效果很好,于是本发明便诞生了。
优选地,所述金属帽上端面上光窗孔的外围设置有外锥面,所述外锥面的倾角为9度,金属帽上端的内侧面上设置有与所述外锥面匹配的环形凹槽,环形凹槽的底面为锥面,所述锥面与外锥面匹配。相比于上端面为平面的金属帽,设置了外锥面和环形凹槽后,金属帽上部具备较大的形变余量,受冲击时,可以通过形变来吸收一部分冲击能量,减小作用在光窗片上的冲击应力,经过大量试验验证,在相同冲击作用下,外锥面的倾角为9度时,作用在光窗片上的冲击应力最小。
本发明的有益技术效果是:提供了一种抗高过载管帽的制作方法,由此得到的管帽具有很强的抗冲击能力,可达11300g。
附图说明
图1、由本发明方法所得到的管帽结构示意图;
图中各个标记所对应的名称分别为:光窗片1、金属帽2、外锥面倾角θ。
具体实施方式
一种抗高过载管帽的制作方法,所述抗高过载管帽由光窗片1和金属帽2组成,所述金属帽2中部设置有与所述光窗片1匹配的光窗孔,光窗片1设置在所述光窗孔内,光窗片1上与金属帽2接触的区域形成光窗封接区,金属帽2上与光窗封接区匹配的区域形成连接区;其创新在于:所述抗高过载管帽按如下方法制作:
金属帽2制作:
1)采用机加工方式,将金属帽2加工成型;
2)采用PVD工艺在金属帽2上的连接区表面形成金膜,金属帽2制作完成;
光窗片1制作:
A)预制蓝宝石材质的光窗片1;
B)采用PVD工艺在光窗片1表面形成氟化镁膜层;
C)采用PVD工艺在光窗片1上的光窗封接区表面形成铬膜;
D)采用PVD工艺在铬膜表面形成镍膜;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所,未经中国电子科技集团公司第四十四研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610185250.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。