[发明专利]金属氧化膜的成膜方法有效

专利信息
申请号: 201580080986.0 申请日: 2015-06-18
公开(公告)号: CN107683346B 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 平松孝浩;织田容征;川原村敏幸;藤田静雄;内田贵之 申请(专利权)人: 东芝三菱电机产业系统株式会社;国立大学法人京都大学;高知县公立大学法人
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/40;C23C16/44;H01L21/31;H01L21/316
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 周欣
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 金属 氧化 方法
【说明书】:

本发明的目的在于提供一种提高生产效率且得到高品质的金属氧化膜的金属氧化膜的成膜方法。并且,本发明的成膜方法实施以下的处理。在溶液容器(15)内,使含有金属元素即铝的原料溶液(14)雾化而得到原料溶液雾(M1)。在独立于溶液容器(15)的溶液容器(25)内,使含有氧化铝形成用的反应助剂的反应辅助溶液(24)雾化而得到助剂雾(M2)。并且,经由路径(L1)和(L2)向设置于反应容器(11)内的喷嘴(12)供给原料溶液雾(M1)和助剂雾(M2)。然后,在喷嘴(12)内使原料溶液雾(M1)和助剂雾(M2)混合而得到混合雾(M3),向处于加热状态的P型硅基板(4)的背面上供给混合雾(M3)。

技术领域

本发明涉及一种使用雾法在基板上使金属氧化膜成膜的金属氧化膜的 成膜方法。

背景技术

在太阳能电池、FPD(Flat Panel Display,平板显示器)、LED(Light EmittingDiode,发光二极管)等发光装置或触控面板等领域中,在基板上 形成有金属氧化膜。以往,作为使用非真空成膜技术使金属氧化膜在基板 上成膜的方法,有喷涂法、溶胶凝胶法、雾CVD(Chemical Vapor Deposition, 化学气相沉积)法等大气开放溶液体系的金属氧化膜的成膜方法。

这些成膜方法在使作为目标的金属氧化膜成膜时,其原料溶液为一种。 可以预先调配原料溶液,但在金属氧化膜成膜时,利用调配的一种原料溶 液。

这样,使用以往的非真空成膜技术的金属氧化膜的成膜方法由于在成 膜时利用调配的一种原料溶液,因此为了通过原料溶液使金属氧化膜成膜 所需要的反应能量是唯一地确定的。

作为使通过原料溶液将金属氧化膜成膜时的反应能量降低、促进金属 氧化膜的成膜速度的方法,以往有以下2种方法。

首先,作为直接进行的第1方法,可考虑通过预先在原料溶液中混合 反应助剂使上述反应能量降低的方法。作为第1方法,例如有专利文献1 中公开的金属氧化膜的成膜方法。

图7为表示专利文献1中公开的、使用了第1方法的以往的成膜装置 200的概略构成的说明图。

如该图所示,在同一溶液容器15内供给有原料溶液18(含有锌的溶液) 和反应辅助溶液24(氨水),通过雾化器16使原料溶液18和反应辅助溶液 24的混合溶液34雾化,得到雾化的混合溶液34即混合雾M4。

然后,混合雾M4通过路径L11向反应容器11内的P型硅基板4的背 面(上表面)供给,在P型硅基板4的背面上成膜为背面钝化膜5(氧化 锌薄膜)。

在专利文献1公开的成膜方法中,在使用了雾法的金属氧化膜(氧化 锌薄膜)的成膜时,通过将原料溶液18和含有反应助剂(氨水)的反应辅 助溶液24在同一雾化器(溶液容器15,雾化器16)内混合而得到混合雾 M4,向反应容器11内的P型硅基板4的背面(一个主面)供给混合雾M4, 从而实现了上述反应能量的降低。

另一方面,作为间接地进行的第2方法,为下述方法:通过向上述反 应容器中另外供给反应辅助气体,调整金属氧化膜的成膜时的气氛,从而 实现利用在上述反应容器内雾化的原料溶液进行金属氧化膜成膜时的上述 反应能量的降低,并实现金属氧化膜的高品质化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:国际公开第2011/151889号小册子

发明内容

发明所要解决的课题

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