[发明专利]一种LED芯片的去胶方法

说明书

技术领域

本发明涉及芯片清洗领域，尤其涉及一种LED芯片的去胶方法。

背景技术

在LED芯片生产过程中，要经过划片工艺，经过划片后的LED芯片侧面比较光滑，因此要对LED芯片侧面进行腐蚀，使得侧面变得粗糙，从而增加侧面的发光面积，以达到增加光功率的目的。经过划片和侧面腐蚀工艺会使LED的正面受到划损或者腐蚀。因此，在划片之前会在LED芯片的正面会覆盖一层光刻胶，用以保护LED芯片，在经过侧面腐蚀工艺之后，已经不再需要光刻胶作为保护层，需将光刻胶从LED芯片上去除。

去除LED芯片上的光刻胶是LED芯片制造工艺中的重要工序，在光刻胶去除的研究中，长期以来一般使用干法去胶或湿法去胶，但干法处理存在容易遗留残渣等诸多缺陷，因此目前行业内主要使用湿法去胶。湿法去胶一般用有机正胶去膜剂作为去胶剂，如601正胶去胶剂；该正胶去胶剂容易挥发，操作员的工作环境恶劣；去胶过程容易腐蚀铝电极，使铝电极颜色变黄；又由于使用有机正胶去膜剂去胶不容易控制去胶进度，导致只能单片作业以确保去胶正常进行。

发明内容

本发明提供一种LED芯片的去胶方法，采用无挥发性KOH溶液做正胶去 胶剂，以实现去胶过程对铝电极不造成腐蚀，使铝电极颜色未发生变化。

本发明实施例提供了一种半导体芯片的去胶方法，该去胶包括：

提供待去胶的LED芯片；

将待去胶的LED芯片浸入到KOH溶液中进行去胶；

将去胶后的LED芯片进行冲洗；

将冲洗后的LED芯片放于甩干机中甩干。

进一步的，将待去胶的LED芯片浸入到KOH溶液中进行去胶包括：

将待去胶的LED芯片置于清洗提篮中，并将该清洗提篮浸入到KOH溶液中上下提拉进行去胶。

进一步的，清洗提篮中可以放置1～5片LED芯片。

进一步的，将清洗提篮浸入到KOH溶液中上下提拉的持续时间为20s。

进一步的，提供待去胶的LED芯片之前还包括：

向去胶槽注水；

加入KOH，充分搅拌至无色透明，得到KOH溶液。

进一步的，KOH溶液的浓度为5％。

进一步的，KOH溶液的温度范围为28℃～32℃。

进一步的，将去胶后的LED芯片进行冲洗包括：

采用离子水对去胶后的LED芯片进行冲洗。

进一步的，上述将冲洗后的LED芯片进行干燥处理具体为将冲洗后的LED芯片放于甩干机中甩干。

进一步的，将冲洗后的LED芯片放于甩干机中甩干的时间为7～8分钟。

本发明的有益效果是，解决传统正胶去胶剂容易挥发，且去胶容易对铝电 极造成腐蚀，使铝电极颜色变黄的问题，实现了去胶过程对铝电极不造成腐蚀，使铝电极颜色未发生变化的效果。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种LED芯片的去胶方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1为本发明实施例提供的一种LED芯片的去胶方法的流程图，本实施例适用于去除LED芯片上的正性光刻胶的情况，该去胶方法具体包括如下步骤：

S110、提供待去胶的LED芯片。

具体的，LED芯片为红外LED芯片，且该LED芯片为已经过划片和侧面腐蚀工艺后的LED芯片，在LED芯片的正面覆盖有用于保护LED芯片的光刻胶，LED芯片的衬底为砷化镓。其中，光刻胶按照响应紫外光的特性可以分为两类即正性光刻胶和负性光刻胶，在本发明实施例中的光刻胶均采用正性光刻胶。

其中，正性光刻胶树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率。

S120、将待去胶的LED芯片浸入到KOH溶液中进行去胶。