[发明专利]一种增强电子铜箔剥离强度的处理工艺

说明书

技术领域

本发明涉及电子铜箔制造技术领域，尤其涉及的是一种增强电子铜箔剥离强度的处理工艺。

背景技术

为了使电解铜箔产品与有机绝缘材料有良好的结合力，通常对铜箔毛面进行适当粗化和固化处理，在铜箔毛面电沉积一层瘤状铜颗粒，增大比表面积。

粗化层通常是采用两步粗化两步固化处理(粗化1-粗化2-固化1-固化2)电镀形成，其施加的电流密度较大，粗化沉积的粗铜颗粒使粗糙度达到要求，但不够均匀，对应的剥离强度也会有波动；采取的先两步粗化再两步固化的方式，虽然粗糙度满足要求，但在后续电路板制程中易出现“铜粉”和粗化层脱落等造成电路板失效，损失成几何倍数增长。

随着电路板行业的发展，高Tg、无卤素等高耐热板材成为主流，对粗化层的要求也进入新的高度，必须解决粗化层不均匀，粗化层与有机基材和铜箔基体的结合力问题。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种增强电子铜箔剥离强度的处理工艺。

本发明是通过以下技术方案实现的：一种增强电子铜箔剥离强度的处理工艺，将生箔电镀成的毛箔经过酸洗预处理后，依次通过粗化Ⅰ工序、固化Ⅰ工序、粗化Ⅱ工序、固化Ⅱ工序、粗化Ⅲ工序、固化Ⅲ工序、黑化工序、镀锌工序、防氧化工序、硅烷工序、烘干工序处理，步骤如下：

(1)、粗化Ⅰ工序：将生箔电镀成的毛箔，经酸洗预处理后，在温度25-35℃条件下，在含有硫酸150-230g/L、Cu²⁺7-14g/L、HCl0.005g/L,钼酸铵0.01-0.02g/L的粗化液中进行电镀，电镀一段电流密度为13-25A/dm²，电镀二段电流密度为2-6A/dm²；

(2)、固化Ⅰ工序：将经粗化Ⅰ工序处理的铜箔，在温度30-45℃条件下，在含有硫酸80-140g/L、Cu²⁺45-60g/L的固化液中进行电镀，电镀一段电流密度12-22A/dm²，电镀二段电流密度12-22A/dm²；

(3)、粗化Ⅱ工序：将经固化Ⅰ工序处理的铜箔，在温度25-35℃条件下，在含有硫酸150-230g/L、Cu²⁺7-14g/L、HCl 0.005-0.02g/L，钼酸铵0.01-0.02g/L的粗化液中进行电镀，电镀一段电流密度13-30A/dm²，电镀二段电流密度2-6A/dm²；

(4)、固化Ⅱ工序：将经粗化Ⅱ工序处理的铜箔，在温度30-45℃条件下，在含有硫酸80-140g/L、Cu²⁺45-60g/L的固化液中进行电镀，电镀一段电流密度12-22A/dm²，电镀二段电流密度12-22A/dm²；

(5)、粗化Ⅲ工序：将经固化Ⅱ工序处理的铜箔，在温度25-35℃条件下，在含有硫酸150-230g/L、Cu²⁺7-14g/L、HCl 0.005-0.02g/L,钼酸铵0.01-0.02g/L的粗化液中进行电镀，电镀一段电流密度13-30A/dm²，电镀二段电流密度2-6A/dm²；

(6)、固化Ⅲ工序：将经粗化Ⅲ工序处理的铜箔，在温度30-45℃条件下，在含有硫酸80-140g/L、Cu²⁺45-60g/L的固化液中进行电镀，电镀一段电流密度12-22A/dm²，电镀二段电流密度12-22A/dm²。

作为上述方案的进一步优化，粗化Ⅰ工序/粗化Ⅱ工序/粗化Ⅲ工序：在温度30℃条件下，在含有硫酸190g/L、Cu²⁺9g/L、HCl 0.005g/L,钼酸铵0.01g/L的粗化液中进行电镀，电镀一段电流密度14A/dm²，电镀二段电流密度3A/dm²。

作为上述方案的进一步优化，固化Ⅰ工序/固化Ⅱ工序/固化Ⅲ工序：在温度35℃条件下，在含有硫酸100g/L、Cu²⁺50g/L的固化液中进行电镀，电镀一段电流密度20A/dm²，电镀二段电流密度20A/dm²。