[发明专利]基于一维微纳结构/氮化镓薄膜肖特基结的紫外LED有效
| 申请号： | 201510053998.6 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN104638079B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 杨青;吴远鹏;陶菲克·哈桑;刘旭 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 一维微纳 结构 氮化 薄膜 肖特基结 紫外 led | ||
1.一种基于一维微纳结构/氮化镓薄膜肖特基结的紫外LED，包括阴极、阳极和连接阳极的有源发光体，其特征在于，还包括一金属微纳结构，所述金属微纳结构的一端与阴极相连，另一端与有源发光体接触形成肖特基结；
所述的紫外LED还包括镀有有源发光体的衬底，所述有源发光体上部分区域内镀合金金属膜作为所述的阳极。
2.如权利要求1所述的基于一维微纳结构/氮化镓薄膜肖特基结的紫外LED，其特征在于，所述的阴极为镀在蓝宝石衬底上的ITO薄膜，所述镀有有源发光体的衬底和蓝宝石衬底隔开放置，且两者之间的间隙应不大于30μm。
3.如权利要求1所述的基于一维微纳结构/氮化镓薄膜肖特基结的紫外LED，其特征在于，所述镀有有源发光体的衬底上的另一区域内镀有绝缘层，该绝缘层上表面镀金膜构成所述的阴极。
4.如权利要求2或3所述的基于一维微纳结构/氮化镓薄膜肖特基结的紫外LED，其特征在于，所述的金属微纳结构为单条或多条银纳米线。
5.如权利要求4所述的基于一维微纳结构/氮化镓薄膜肖特基结的紫外LED，其特征在于，所述的银纳米线通过热溶剂法生长得到。
6.如权利要求5所述的基于一维微纳结构/氮化镓薄膜肖特基结的紫外LED，其特征在于，所述的金属微纳结构为银微纳阵列，具有纵横交错的银纳米线，且纵向银纳米线或横向银纳米线一端与阴极相连，另一端与有源发光体接触形成肖特基结。
7.如权利要求1所述的基于一维微纳结构/氮化镓薄膜肖特基结的紫外LED，其特征在于，所述的有源发光体为氮化镓薄膜。
8.如权利要求1所述的基于一维微纳结构/氮化镓薄膜肖特基结的紫外LED，其特征在于，所述的合金金属膜为Ni/Au合金金属膜。
9.如权利要求1所述的基于一维微纳结构/氮化镓薄膜肖特基结的紫外LED，其特征在于，所述金属微纳结构的电阻率应小于5μΩ·cm。
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