[实用新型]一种可变衰减器装置有效
申请号: | 201420235738.1 | 申请日: | 2014-05-09 |
公开(公告)号: | CN203825292U | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 刘洋 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G02B26/02 | 分类号: | G02B26/02;G03F7/20 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可变 衰减器 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于半导体设备领域,涉及一种曝光装置,特别是涉及一种降低曝光系统中入射光强度的可变衰减器装置。
背景技术
现代微电子技术的核心是集成电路生产,而集成电路生产的发展又必须以半导体设备为其主要支撑条件,在当前集成电路生产设备中,光刻设备占最核心的地位。通过光刻装置,具有不同掩模图案的多层掩模早精确对准下依次成像在涂敷有光刻胶的硅片上,例如半导体硅片。光刻装置大体上分为两类,一类是步进光刻装置,掩模图案一次曝光成像在硅片的一个曝光区域,随后硅片相对于掩模移动,将下一个曝光区域移动到掩模图案和投影物镜下方,再一次将掩模图案曝光在硅片的另一曝光区域,重复这一过程直到硅片上所有曝光区域都拥有掩模图案的像。另一类是步进扫描光刻装置,在上述过程中,掩模图案不是一次曝光成像,而是通过投影光场的扫描移动成像。在掩模图案成像过程中,掩模与硅片同时相对于投影系统和投影光束移动。
在曝光工艺中,通常,扫描速度由机械控制,通过控制扫描速度来调节曝光剂量,扫描速度越低。曝光剂量越高;反之,扫描速度越高,曝光剂量越地。但是当所需的曝光剂量低到最高的扫描速度都无法满足时,则需要寻找其他降低曝光剂量的方法,比如,降低入射光的强度。
现有技术中采用一种降低曝光系统中入射光强度的装置来调节曝光剂量,如图1所示,该装置包括一块倾斜的平板玻璃101A;光源发出的光束以一定的角度入射到所述平板玻璃101A上,光束透过平板玻璃101A之后相对于入射光发生了一定的衰减。但是,由于平板玻璃有一定的厚度,透射后的光束相对于入射光束有侧向偏移。这种侧向偏移会产生非对称的环形光环,无法保证曝光的质量。
因此,提供一种降低曝光系统中入射光强度的装置实属必要。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种可变衰减器装置,用于解决现有技术中入射光透过平板玻璃之后发生侧向偏移的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种可变衰减器装置,该装置设置于入射光的光路上,所述可变衰减器装置至少包括:第一平板玻璃和第二平板玻璃;且所述第一平板玻璃和第二平板玻璃形成“<”或“>”形状,所述第一平板玻璃与水平面的夹角等于所述第二平板玻璃与水平面的夹角。
作为本实用新型可变衰减器装置的一种优化的结构,所述第一平板玻璃和第二平板玻璃的正、反表面上均涂有提高其反射率的薄膜材料。
作为本实用新型可变衰减器装置的一种优化的结构,所述第一平板玻璃与水平面的夹角范围为40~50°;所述第二平板玻璃与水平面的夹角范围为40~50°。
作为本实用新型可变衰减器装置的一种优化的结构,所述第一平板玻璃与水平面的夹角范围为45°;所述第二平板玻璃与水平面的夹角范围为45°。
作为本实用新型可变衰减器装置的一种优化的结构,所述第一平板玻璃和第二平板玻璃的厚度范围均为1~10mm。
作为本实用新型可变衰减器装置的一种优化的结构,入射光经过所述第一平板玻璃和第二平板玻璃的透光率范围为0.05~0.95。
作为本实用新型可变衰减器装置的一种优化的结构,所述第一平板玻璃和第二平板玻璃的形状均为方形。
作为本实用新型可变衰减器装置的一种优化的结构,所述入射光波长为193nm。
如上所述,本实用新型的可变衰减器装置,所述可变衰减器装置至少包括:第一平板玻璃和第二平板玻璃;所述第一平板玻璃和第二平板玻璃形成“<”或“>”形状,所述第一平板玻璃与水平面的夹角等于所述第二平板玻璃与水平面的夹角。本实用新型可变衰减器装置,由在入射光的光路上设置的第一平板玻璃和第二平板玻璃构成,可以降低入射光强度,同时透射光的强度不会发生侧向偏离,满足曝光工艺的工艺要求。
附图说明
图1为现有技术中可变衰减器装置结构示意图。
图2为本实用新型的可变衰减器装置结构示意图。
元件标号说明
101A 平板玻璃
d 侧向偏移量
101 第一平板玻璃
102 第二平板玻璃
h 厚度
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式,熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。
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