[发明专利]一种采用CSD工艺制备肖特基二极管P+型扩散保护环的方法

权利要求书

1.一种采用CSD工艺制备肖特基二极管P+型扩散保护环的方法，其特征在于步骤包括：1旋转涂覆：在通过刻蚀制作好保护环P+沟槽后的晶圆上，使用旋转涂覆法使晶圆上覆盖一层带有硼掺杂剂的B30液态源，并烘干，烘干后涂覆厚度在3000～6000埃；2预扩散：在氮气气氛的高温炉中进行预扩散，预扩散温度900～1100摄氏度，预扩散时间30～120分钟；

3清洗：氢氟酸溶液清洗5～10分钟，将晶圆表面的氧化层和残余有机物漂净；

4再扩散：在氮气气氛的900～1100摄氏度的高温炉中，加热30～120分钟进行进一步推进；然后降温至700～900摄氏度，在氧气和氢气氛围下进行湿氧反应150～200分钟，在P+保护环沟槽的晶圆表面形成氧化层。

2.根据权利要求1所述的采用CSD工艺制备肖特基二极管P+型扩散保护环的方法，其特征在于旋转涂覆步骤中，包括如下步骤：前烘，在50～150摄氏度下对晶圆烘干30～200秒；降温至常温，使晶圆在2000～5000r/min旋转速度下匀速旋转5～60秒，滴加带有B30硼掺杂剂的液态源至晶圆表面；降低旋转速度至1000～2000r/min，保持5～60秒后，减速停止；后烘：在40～150摄氏度下烘干晶圆50～150秒。

3.根据权利要求1所述的采用CSD工艺制备肖特基二极管P+型扩散保护环的方法，其特征在于预扩散步骤中，氮气气氛中辅助小流量氧气，其中，氮气流量5～10SLM,氧气流量0.1～0.5SLM。

4.根据权利要求1所述的采用CSD工艺制备肖特基二极管P+型扩散保护环的方法，其特征在于清洗步骤中，氢氟酸溶液浓度为氢氟酸与水体积比1:50～1:100。

5.根据权利要求4所述的采用CSD工艺制备肖特基二极管P+型扩散保护环的方法，其特征在于清洗步骤中，使用氢氟酸溶液清洗后，依次使用SC3处理溶液浸泡5-10分钟、然后冲水10分钟，接着在SC1处理溶液中中浸泡5-10分钟，然后再冲水10分钟甩干。

6.SC3处理溶液为H2SO4：H2O2按照3：1的比例配制；SC1处理溶液为NH₄OH：H₂O₂：H₂O按照1：2：7的比例配制。

7.根据权利要求1所述的采用CSD工艺制备肖特基二极管P+型扩散保护环的方法，其特征在于再扩散步骤中，氧气流量为3～7SLM，氢气流量为5～10SLM。