[发明专利]一种白光LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种白光LED芯片，其特征在于，包括一LED芯片和一用于转换光色的预制成型的光转换层，所述光转换层设有一容纳所述LED芯片的安装腔体，所述LED芯片的四个侧面和出光面均被所述安装腔体包裹。 

2.根据权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于：所述光转换层的厚度为100um-1000um。 

3.根据权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于：所述光转换层的材料包括陶瓷基、硅胶、环氧树脂、或玻璃中一种或多种。 

4.根据权利要求1或2所述的白光LED芯片，其特征在于：所述光转换层的安装腔体的长和宽的面积为LED芯片的长和宽的面积的1.0-1.2倍，其高度小于或等于光转换层厚度的30％。 

5.根据权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于：所述安装腔体内表面设有定位图案，所述白光LED芯片包括贴倒装型LED芯片、贴正装型LED芯片和贴垂直型LED芯片；所述贴倒装型LED芯片的安装腔体内表面设有十字形、方形或圆形开槽；所述贴正装型LED芯片的安装腔体内表面设有多于2个的方形、圆形或十字形的开孔；所述贴垂直型LED芯片的安装腔体内表面设有多于1个的方形、圆形或十字形的开孔。 

6.根据权利要求5所述的白光LED芯片，其特征在于： 

所述白光LED芯片为贴倒装型LED芯片，其包括外延衬底层、生长在所述外延衬底层上表面的N型氮化镓层、生长在所述N型氮化镓层部分上表面的发光层、生长在所述N型氮化镓层部分上表面的N型欧姆接触层、生长在所述发光层上表面的P型氮化镓层和生长在所述P型氮化镓层部分上表面的P型欧姆接触层，在所述P型氮化镓层、P型欧姆接触层、N型氮化镓层和N型欧姆接触层上表面还设置有绝缘层，在所述P型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第一通孔，在所述N型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第二通孔，在所述绝缘层上表面分别独立设置有P电极键合层和N电极键合层，所述P电极键合层贯穿第一通孔与P型欧姆接触层电连接，所述N电极键合层贯穿第二通孔与N型欧姆接触层电连接。 

7.一种白光LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 

(1)、制作一用于转换光色的预制成型的光转换层； 

(2)、所述光转换层的表面上设置一个以上用于安装LED芯片的安装腔体； 

(3)、贴装所述LED芯片至所述安装腔体内； 

(4)、以每个安装有LED芯片的安装腔体为单位，切割所述光转换层为单颗白光LED芯片。 

8.根据权利要求7所述的白光LED芯片的制作方法，其特征在于： 

所述安装腔体内设有定位图案，所述LED芯片设有定位部，所述LED芯片的定位部对准所述安装腔体内的定位图案，贴装所述LED芯片至所述安装腔体内。 

9.根据权利要求8所述的白光LED芯片的制作方法，其特征在于： 

所述白光LED芯片包括贴倒装型LED芯片；所述贴倒装型LED芯片的光转换层通过模顶成型方式制作，其安装腔体内的定位图案通过模具上预先设置定位图案，定位图案包括十字形、圆形或方形中的一种或多种组合。 

10.根据权利要求8所述的白光LED芯片的制作方法，其特征在于： 

所述白光LED芯片包括贴正装型LED芯片和贴垂直型LED芯片；所述贴正装型LED芯片和贴垂直型LED芯片通过模具冲压出定位图案，所述定位图案的形状包括十字形、圆形或方形中的一种或多种组合。 

11.根据利要求7所述的白光LED芯片的制作方法，其特征在于： 

所述光转换层为一种半固化的高分子基材料，所述LED芯片贴于所述光转换层的安装腔体内，通过固化结合LED芯片和光转换层。 

或所述光转换层为一种陶瓷基荧光片，所述LED芯片贴于所述安装腔体内，通过加热透明的胶材固化结合所述光转换层和所述LED芯片。