[发明专利]一种引线框架镀铜方法及引线框架、引线框架排

说明书

技术领域

本发明属于半导体制造领域，涉及一种引线框架，特别是一种更易制造的引线框架和引线框架排。

背景技术

半导体封装技术已经是非常成熟的工艺，引线框架是引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架。

目前引线框架基本上均采用铜基合金作为主要材料。但是随着铜价的上涨，引线框架的成本大幅上升，给企业带来了很大压力。如何采用新材料替代铜合金已经成为亟待解决的问题。现有技术为解决该问题提供了多种解决方案，例如申请号为CN201010152911.8的中国专利“应用在功率半导体元器件中的铝合金引线框架”，其采用铝合金作为基体材料，并电镀多层电镀层，此种方案结构过于复杂。又如申请号为CN200780011289.5的中国专利“用于半导体QFN/SON器件的铝引线框架”，其将锌层和镍层镀在引线段没有被封装材料覆盖的部分，其成本较高。

另外，随着半导体集成化程度越来越高，对半导体器件的尺寸要求越来越小，而对处理能力的高要求使得芯片在尺寸和体积上缩减的空间有限，因此如何小型化主要在封装结构上。如何提供一种能够减小封装结构的体积，是行业内都在考虑的问题。

发明内容

本发明的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种引线框架和引线框架排。

本发明的目的可通过下列技术方案来实现：提供一种引线框架镀铜方法，所述引线框架基体由铝合金制成，所述镀铜方法包括步骤：

S1：脱脂去油，药水成分及含量：

氢氧化钠：30-45％，偏硅酸钠：35-40％，除油剂：40g/L，在50℃-70℃进行脱脂去油；

S2：预镀：电镀液配方及含量为：

硫酸镍：300-700g/L，硫酸钠：8-10g/L，氯化镍：20-25g/L，氯化钠：2-5g/L；

电镀参数为：温度：80-90℃，电流密度：150-170A/dm²，电镀液PH：3-4；

S3：镀铜：电镀液配方及含量为：

硫酸铜：130-150g/L，氯化铜：20-30g/L，盐酸：30-40mol/L，铜光亮剂：0.1-0.3g/L。

进一步地，在步骤S1和S2之间还包括浸锌步骤，所述浸锌步骤包括：

一次浸锌步骤：将去油后的铝合金基体放入锌离子浓度为35-45g/L，三氧化铁浓度为60-70g/L，氢氧化钠浓度为200-250g/L的混合溶液中浸锌，浸锌温度55-60℃；而后再用温度为50℃的清水洗涤；

一次酸洗步骤：将一次浸锌后的铝合金基体放入浓度为50-100g/L，温度为30-40℃的硝酸溶液酸洗；

二次浸锌步骤：将酸洗后的铝合金基体放入每升含有350-400克氧化铁，55-75克氢氧化钠的混合液中二次浸锌，混合液温度为55-60℃；

二次酸洗步骤：将二次浸锌后的铝合金基体放入浓度为700-750g/L的硝酸溶液中二次酸洗，酸洗时间20-30分钟，酸洗温度55-70℃；

三次浸锌步骤：将二次酸洗后的铝合金基体放入锌离子浓度为20-30g/L的溶液中三次浸锌，三次浸锌温度20-30℃。

进一步地，在步骤S3后还包括抗氧化处理步骤；将镀铜后的引线框架放入苯并三氮唑浓度为1g/L,，硫酸锌浓度为0.6g/L，硫基苯并噻唑浓度为2g/L的混合液中处理5-10分钟。

进一步地，所述铝合金按照质量百分比包括：镁：0.4-1.5％、硅：0.02-0.8％、铜：0.2-0.5％、锰：0.02-0.2％、铬：0.1-0.3％、锆：0.05-0.25％，余量为铝和不可避免的杂质。

进一步地，镀锌层厚度为0.1-0.5微米，镀镍层厚度为0.2-3微米，镀铜层厚度为3-20微米。

本发明还提供一种引线框架，其包括芯片座和分布在所述芯片座一侧的多根引线，所述多根引线包括芯片引线和接脚引线，所述芯片引线与所述芯片座连接，所述接脚引线与所述芯片座断开，所述多根引线为片状并在同一平面上，所述芯片座为片状且与所述引线所在平面平行而不共面。

在上述的引线框架中，所述多根引线相互平行。

本发明还提供一种引线框架排，为一金属条中冲压或蚀刻形成的多个依次连接的上述的引线框架，每个所述连接片一侧与所述引线框架的另一侧连接，多个所述连接片前后相接成一排。