[发明专利]一种引线框架镀铜方法及引线框架、引线框架排

权利要求书

1.一种引线框架镀铜方法，所述引线框架基体由铝合金制成，其特征在于：所述镀铜方法包括步骤：

S1：脱脂去油，药水成分及含量：

氢氧化钠：45％，偏硅酸钠：40％，除油剂：40g/L，在50℃-70℃进行脱脂去油；

S2：预镀：电镀液配方及含量为：

硫酸镍：700g/L，硫酸钠：10g/L，氯化镍：25g/L，氯化钠：5g/L；

电镀参数为：温度：90℃，电流密度：170A/dm²，电镀液pH：4；

S3：镀铜：电镀液配方及含量为：

硫酸铜：150g/L，氯化铜：30g/L，盐酸：40mol/L，铜光亮剂：0.3g/L；

其中所述铝合金按照质量百分比包括：镁：1.5％、硅：0.8％、铜：0.2％、锰：0.2％、铬：0.3％、锆：0.25％，余量为铝以及不可避免的杂质；

在步骤S1和S2之间还包括浸锌步骤，所述浸锌步骤包括：

一次浸锌步骤：将去油后的铝合金基体放入锌离子浓度为45g/L，三氧化铁浓度为70g/L，氢氧化钠浓度为250g/L的混合溶液中浸锌，浸锌温度60℃；而后再用温度为50℃的清水洗涤；

一次酸洗步骤：将一次浸锌后的铝合金基体放入浓度为100g/L，温度为40℃的硝酸溶液酸洗；

二次浸锌步骤：将酸洗后的铝合金基体放入每升含有400克氧化铁，75克氢氧化钠的混合液中二次浸锌，混合液温度为60℃；

二次酸洗步骤：将二次浸锌后的铝合金基体放入浓度为750g/L的硝酸溶液中二次酸洗，酸洗时间25分钟，酸洗温度55℃；

三次浸锌步骤：将二次酸洗后的铝合金基体放入锌离子浓度为25g/L的溶液中三次浸锌，三次浸锌温度25℃；

抗氧化处理；将镀铜后的引线框架放入苯并三氮唑浓度为1g/L，硫酸锌浓度为0.6g/L，硫基苯并噻唑浓度为2g/L的混合液中处理5-10分钟。

2.根据权利要求1所述的引线框架镀铜方法，其特征在于：镀锌层厚度为0.1-0.5微米，镀镍层厚度为0.2-3微米，镀铜层厚度为3-20微米。

3.一种由权利要求1或2所述的引线框架镀铜方法制得的引线框架，其特征在于：包括芯片座和分布在所述芯片座一侧的多根引线，所述多根引线包括芯片引线和接脚引线，所述芯片引线与所述芯片座连接，所述接脚引线与所述芯片座断开，所述多根引线为片状并在同一平面上，所述芯片座为片状且与所述引线所在平面平行而不共面。

4.根据权利要求3所述的引线框架，其特征在于：所述多根引线相互平行。

5.一种引线框架排，其特征在于：为一金属条中冲压或蚀刻形成的多个依次连接的权利要求3或4所述的引线框架，每个连接片一侧与芯片座的另一侧连接，多个连接片前后相接成一排。

6.如权利要求5所述的引线框架排，其特征在于：每个所述连接片与所述引线框架的芯片座相接，且相接处的表面刻有至少一道槽，所述槽延伸至相接处的整个延伸长度。

7.如权利要求6所述的引线框架排，其特征在于所述槽的深度大于所述连接片厚度的十分之一。