[发明专利]一种基于无机物的复合LED积层电路板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种基于无机物的复合LED积层电路板的制造方法。

背景技术

在传统的半导体显示器产品发展到今天，配套的或是交叉行业的资源已经极大地丰富和完善。在传统的LED产品结构中，通常采用FR4电路板用来做LED电路基板。

但是，在传统电路板作为LED电路基板时，其材料的材质里存在的杂质，气孔，热应力，热膨胀等缺陷，都会造成致命的产品稳定性信赖性的隐患。而且在半导体显示器的分辨率提高到一定程度时(例如像素间距要求小于1MM时)无法实现加工。因此传统电路板是完全没法满足小尺寸、高精度的要求的。同时，后续与LED的接合工艺繁琐，一个LED电路基板承载的多个LED晶片间性能的一致性无法得到保障，可能会对最终产品的性能造成影响。

发明内容

本发明的目的是提供一种基于无机物的复合LED积层电路板的制造方法，能够充分利用半导体显示器这类在同一产品个体里同时大规模使用同一类器件的产品特点，工艺简单稳定，尤其适用于要求小尺寸晶片间距的高分辨率的要求，通过该方法制备的晶格适配层结构为后续直接在LED积层电路板上生长LED晶片提供了可能。

本发明提供了一种基于无机物的复合LED积层电路板的制造方法，包括：

对SiC-Cu复合基板进行激光钻通孔加工；

对SiC-Cu复合基板的第一表面镀导电介质；

对SiC-Cu复合基板的第二表面镀导电介质；其中所述通孔由所述导电介质完全填充；

对所述SiC-Cu复合基板的第一表面的导电介质进行图形化刻蚀；

对所述SiC-Cu复合基板的第二表面的导电介质进行图形化刻蚀；

气相淀积SiO₂，形成基板保护层；

对所述SiC-Cu复合基板的上表面的基板保护层进行图形化刻蚀，在图形化区域内露出导电介质；

在所述金属焊盘电极上生长晶格适配层；所述晶格适配层的晶格结构与所述LED的晶格结构相同。

优选的，在气相淀积SiO₂，形成基板保护层之前，所述方法还包括以下步骤：

气相淀积SiC，形成图形化刻蚀区域的填充层及SiC-Cu复合基板的表面绝缘层；

对所述SiC-Cu复合基板的表面绝缘层进行图形化刻蚀，刻蚀至图形化区域内露出导电介质；

对SiC-Cu复合基板的整板镀导电介质；

对所述SiC-Cu复合基板的第一表面的导电介质进行图形化刻蚀；

对所述SiC-Cu复合基板的第二表面的导电介质进行图形化刻蚀。

进一步优选的，在气相淀积SiO₂，形成基板保护层之前，上述步骤重复一次或多次。

优选的，在气相淀积SiO₂之前，还包括表面清洗的步骤。

优选的，所述晶格适配层具体包括：SiC、Cr、Ni、Au、Ti、Sn、ZnO、As、Ga、Ge、In中的任意一种或多种。

优选的，所述积层电路板的顶层的基板保护层的厚度为10％～20％顶层的导电介质的厚度。

优选的，所述积层电路板的底层的基板保护层的厚度为10％～20％底层的导电介质的厚度。

进一步优选的，所述底层的图形化刻蚀的导电介质构成多个用于与外部芯片或电路进行电连接的接触电极。

优选的，所述第一表面为所述LED积层电路板的顶面，所述第二表面为所述LED积层电路板的底面。

优选的，所述第一表面为所述LED积层电路板的底面，所述第二表面为所述LED积层电路板的顶面。

本发明提供的基于无机物的复合LED积层电路板的制造方法，采用无机物SiC作为基板，在基板上制备导电层和绝缘层，并在最外导电层上制备晶格适配层，为后续直接在LED积层电路板上生长LED晶片提供了可能。

附图说明

图1为本发明实施例提供的基于无机物的复合LED积层电路板的制造方法；

图2为本发明实施例提供的LED积层电路板的制造步骤示意图之一；

图3为本发明实施例提供的LED积层电路板的制造步骤示意图之二；

图4为本发明实施例提供的LED积层电路板的制造步骤示意图之三；

图5为本发明实施例提供的LED积层电路板的制造步骤示意图之四；

图6为本发明实施例提供的LED积层电路板的制造步骤示意图之五；

图7为本发明实施例提供的LED积层电路板的制造步骤示意图之六；