[发明专利]一种基于无机物的复合LED积层电路板的制造方法

权利要求书

1.一种基于无机物的复合LED积层电路板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

对SiC-Cu复合基板进行激光钻通孔加工；

对SiC-Cu复合基板的第一表面镀导电介质；

对SiC-Cu复合基板的第二表面镀导电介质；其中所述通孔由所述导电介质完全填充；

对所述SiC-Cu复合基板的第一表面的导电介质进行图形化刻蚀；

对所述SiC-Cu复合基板的第二表面的导电介质进行图形化刻蚀；

气相淀积SiO₂，形成基板保护层；

对所述SiC-Cu复合基板的上表面的基板保护层进行图形化刻蚀，在图形化区域内露出金属焊盘电极；

在所述金属焊盘电极上生长晶格适配层；所述晶格适配层的晶格结构与所述LED的晶格结构相同。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在气相淀积SiO₂，形成基板保护层之前，所述方法还包括以下步骤：

气相淀积SiC，形成图形化刻蚀区域的填充层及SiC-Cu复合基板的表面绝缘层；

对所述SiC-Cu复合基板的表面绝缘层进行图形化刻蚀，刻蚀至图形化区域内露出导电介质；

对SiC-Cu复合基板的整板镀导电介质；

对所述SiC-Cu复合基板的第一表面的导电介质进行图形化刻蚀；

对所述SiC-Cu复合基板的第二表面的导电介质进行图形化刻蚀。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在气相淀积SiO₂，形成基板保护层之前，所述权利要求2所述的步骤重复一次或多次。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在气相淀积SiO₂之前，还包括表面清洗的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶格适配层具体包括：SiC、Cr、Ni、Au、Ti、Sn、ZnO、As、Ga、Ge、In中的任意一种或多种。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述积层电路板的顶层的基板保护层的厚度为10％～20％顶层的导电介质的厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述积层电路板的底层的基板保护层的厚度为10％～20％底层的导电介质的厚度。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一表面为所述LED积层电路板的顶面，所述第二表面为所述LED积层电路板的底面。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一表面为所述LED积层电路板的底面，所述第二表面为所述LED积层电路板的顶面。