[发明专利]改变半导体激光器bar慢轴方向光场分布的方法

权利要求书

1.改变半导体激光器bar慢轴方向光场分布的方法，主要步骤包括：

选取bar条具有数个不同条宽的半导体激光阵列器件；

将各发光单元条宽按一定方式依次排列光刻；

在所述排列中各相邻阵列器件之间，选取不同的间距；

根据特定要求，将所述半导体激光阵列器件的条宽和间距按照一定的尺寸光刻，使bar慢轴方向光场按所述特定要求分布。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述各阵列器件条宽排列方式为按照从左至右依次排列成为条形阵列。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体激光阵列器件为非均匀的发光条形阵列，所述非均匀的发光条形阵列是指由具有至少一个不同的条宽和至少一个不同的间距形成的bar发光条形阵列。

4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述使bar慢轴方向光场按所述特定要求分布，是通过改变各阵列器件的条宽和间距，获得bar慢轴方向光场分布为平顶化的光场分布。