[发明专利]封装堆栈结构及其制法

说明书

一种封装堆栈结构及其制法，该封装堆栈结构包括：具有多个导电凸块的封装基板、以及具有多个金属柱的电子组件，该导电凸块具有金属球与包覆该金属球的焊锡材，且该些金属柱对应结合该些导电凸块，使该电子组件堆栈于该封装基板上，并令该金属柱与该导电凸块形成导电组件，以藉由该金属球与该金属柱的对接，以利于堆栈作业。

技术领域

本发明涉及一种封装结构，尤指一种封装堆栈结构及其制法。

背景技术

随着近年來可携式电子产品的蓬勃发展，各類相关产品逐渐朝向高密度、高性能以及轻、薄、短、小的趋势而走，各式样封装层叠(package on package，PoP)也因而配合推陈出新，以期能符合轻薄短小与高密度的要求。

如图1所示，其为现有封装堆栈装置1的剖视示意图。如图1所示，该封装堆栈装置1包括两相叠的封装结构1a与另一封装结构1b。

封装结构1a包含具有相对的第一及第二表面11a,11b的第一基板11、覆晶结合该第一基板11的第一电子组件10、设于该第一表面11a上的电性接触垫111、形成于该第一基板11上以包覆该第一电子组件10的第一封装胶体13、形成于该第一封装胶体13的开孔130中的电性接触垫111上的焊锡材114、以及设于该第二表面11b上用于结合焊球14的植球垫112。

另一封装结构1b包含第二基板12、以打线方式结合于该第二基板12上的第二电子组件15a,15b、及形成于该第二基板12上以包覆该第二电子组件15a,15b的第二封装胶体16，令该第二基板12藉由焊锡材114叠设且电性连接于该第一基板11的电性接触垫111上。

然而，现有封装堆栈装置1中，由于该第一与第二基板11,12间是以焊锡材114作为支撑与电性连接的组件，而随着电子产品的接点（即I/O）数量愈来愈多，在封装件的尺寸大小不变的情况下，各该焊锡材114间的间距需缩小，致使容易发生桥接（bridge）的现象，因而造成产品良率过低及可靠度不佳等问题，致使无法用于更精密的细间距产品。

此外，因该焊锡材114于回焊后的体积及高度的公差大，即尺寸变异不易控制，致使不仅接点容易产生缺陷（例如，于回焊时，该焊锡材114会先变成软塌状态，同时于承受上方第二基板12的重量后，该焊锡材114容易塌扁变形，继而与邻近该焊锡材114桥接），导致电性连接品质不良，且该焊锡材114所排列成的栅状数组(grid array)容易产生共面性(coplanarity)不良，导致接点应力(stress)不平衡而容易造成该两封装结构之间呈倾斜接置，甚至产生接点偏移的问题。

另外，该两封装结构之间仅藉由该焊锡材114作支撑，将因该两封装结构之间的空隙d过多，导致该第一与第二基板11,12容易发生翘曲(warpage)。

因此，如何克服现有技术中的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的种种缺失，本发明的主要目的为提供一种封装堆栈结构及其制法，以利于堆栈作业。

该封装堆栈结构包括：封装基板，其具有多个导电凸块，该导电凸块具有金属球与包覆该金属球的焊锡材；以及电子组件，其具有多个金属柱，且该些金属柱对应结合该些导电凸块，使该电子组件堆栈于该封装基板上，并令该金属柱与该导电凸块形成导电组件。

本发明还提供一种封装堆栈结构的制法，其包括：提供一封装基板与一具有多个金属柱的电子组件，该封装基板上具有多个导电凸块，该导电凸块具有金属球与包覆该金属球的焊锡材；以及对应结合该金属柱与该导电凸块，使该电子组件堆栈于该封装基板上，令该金属柱与该导电凸块形成导电组件。

前述的封装堆栈结构及其制法中，该导电凸块还具有位于该金属球中的绝缘体。

前述的封装堆栈结构及其制法中，该电子组件为另一封装基板或半导体组件。