[发明专利]扩张式激光振荡器波导有效
申请号: | 201380077216.1 | 申请日: | 2013-09-16 |
公开(公告)号: | CN105264727A | 公开(公告)日: | 2016-01-20 |
发明(设计)人: | M·坎斯卡 | 申请(专利权)人: | 恩耐激光技术有限公司 |
主分类号: | H01S5/30 | 分类号: | H01S5/30;H01S5/026 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 杨勇;郑建晖 |
地址: | 美国华*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扩张 激光 振荡器 波导 | ||
1.一种宽面半导体二极管激光器器件,包括:
多模高反射体端面;
与所述多模高反射体端面间隔开的局部反射体端面;以及
扩张式电流注入区域,其在所述多模高反射体端面与所述局部反射体端面之间延伸和变宽,其中,局部反射体端面宽度与高反射体端面宽度之间的比率为n:1,其中n>1。
2.根据权利要求1所述的器件,其中,所述扩张式电流注入区域传播光,使得所述局部反射体端面处的光束输出具有比所述局部反射体端面宽度更窄的光束宽度以及对应的更窄的慢轴发散角。
3.根据权利要求2所述的器件,其中,由所述扩张式电流注入区域的扩张所提供的扩大的总泵浦面积连同所述实质变窄的光束宽度和慢轴发散角能够操作用于减小热电阻和电串联电阻,并且导致针对选定的器件输出功率的所述光束输出的光束亮度增大以及光束参数乘积减小。
4.根据权利要求1所述的器件,其中,所述高反射体端面具有选自约10μm至200μm范围的宽度。
5.根据权利要求1所述的器件,其中,所述扩张式电流注入区域相对于长度在宽度上以恒定的变化扩张。
6.根据权利要求1所述的器件,其中,所述扩张式电流注入区域相对于长度在宽度上以可变的变化扩张。
7.根据权利要求1所述的器件,其中,所述扩张式电流注入区域以多个扩张区域扩张。
8.根据权利要求1所述的器件,其中,所述电流注入区域包括位于所述多模高反射体端面处的矩形端部,该矩形端部允许在所述矩形端部中形成裂缝,从而为所述多模高反射体端面提供能够预测的宽度。
9.根据权利要求1所述的器件,其中,所述电流注入区域包括位于所述多模局部反射体端面处的矩形端部,该矩形端部允许在所述矩形端部中形成裂缝,从而为所述多模局部反射体端面提供能够预测的宽度。
10.根据权利要求1所述的器件,其中,所述扩张式电流注入区域为增益导引的。
11.根据权利要求1所述的器件,其中,所述扩张式电流注入区域为折射率导引的。
12.根据权利要求1所述的器件,其中,端面宽度的所述比率在选定的电流范围上针对亮度被最优化。
13.根据权利要求1所述的器件,还包括沿着所述扩张式电流注入区域的相对的横向侧布置的一对散射元件,所述散射元件能够操作用于散射在其内传播的光的高阶模式。
14.根据权利要求1所述的器件,还包括布置在所述扩张式电流注入区域中并在所述端面之间延伸的分布式反馈光栅,所述分布式反馈光栅为所述器件提供波长稳定。
15.根据权利要求1所述的器件,还包括位于所述高反射体端面处的分布式布拉格反射体光栅,所述分布式布拉格反射体为所述器件提供波长稳定。
16.根据权利要求1所述的器件,其中,一个光束被发射,该光束在其快轴上基本以基础模式。
17.根据权利要求1所述的器件,其中,所述多模高反射体端面具有约90%或更大的反射率。
18.根据权利要求1所述的器件,其中,所述局部反射端面具有约0.05%或更大的反射率。
19.一种多模扩张式激光振荡器波导,包括:
半导体增益容积,其具有由谐振器长度分隔开且相对布置的多模高反射体和输出耦合器、由谐振器高度分隔开且相对布置的顶侧和底侧以及由可变的谐振器宽度分隔开且相对布置的第一扩张侧和第二扩张侧,所述可变的谐振器宽度为所述高反射体提供比所述输出耦合器更短的宽度。
20.一种扩张式激光振荡器波导,包括:
半导体增益容积,包括:
彼此由谐振器长度分隔开的高反射体表面和相对的局部反射体表面;
由谐振器高度分隔开的、相对的顶表面和底表面;以及
由谐振器宽度分隔开的、相对的第一侧表面和第二侧表面,
其中,通过可变的谐振器宽度将所述相对的侧表面的至少一部分分隔开,所述可变的谐振器宽度构成扩张式振荡器区域并且为所述高反射体表面提供比所述局部反射体表面更短的宽度。
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