[实用新型]一种主动式OLED显示器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及有机电致发光领域，具体涉及一种主动式OLED显示器件。

背景技术

有机发光显示二极管（英文全称Organic Light-Emitting Diode，简称OLED）是主动发光器件。相比现有平板显示技术中薄膜晶体管液晶显示器（英文全称Liquid Crystal Display，简称LCD)、等离子体显示面板（英文全称Plasma Display Panel，PDP），OLED具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点，有望成为下一代主流平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。

有机发光显示器件按驱动方式可以分为被动式驱动有机发光器件（英文全称Passive matrix organic lighting emitting display，简称PMOLED）和主动式驱动有机发光器件（英文全称Active Matrix organic lighting emitting display，简称AMOLED）。PMOLED制程简单，但是分辨率无法提高、大尺寸化有困难，而且为了维持整个面板的亮度，需要提高每一个像素的亮度而提高操作电流，这样不但耗电量高，还会减少器件寿命，因此在显示屏上使用很少。所谓AMOLED，即利用薄膜晶体管（英文全称Thin Film Transistor，简称TFT），搭配电容存储信号，来控制OLED的亮度和灰阶表现。为了达到固定电流驱动的目的，每个像素至少需要两个TFT和一个存储电容来构成。每个单独的AMOLED显示器具有完整的阴极、有机功能层和阳极，阳极覆盖一个薄膜晶体管阵列，形成一个矩阵。薄膜晶体管阵列形成电路，决定像素的发光情况，进而决定图像的构成。AMOLED可大尺寸化，较省电，高解析度，面板寿命较长，因此在显示技术领域得到了高度的重视。

OLED按照出光方式分为底发射器件（英文全称Bottom Organic Light-emitting Device，简称BEOLED）和顶发射器件（英文全称TOP Organic Light-emitting Device，简称TEOLED）。BEOLED所用的阳极是透明的，一般通过溅射的方式将的透明的铟锡氧化物ITO(或铟锌氧化物IZO等)生长在透明基板上作为阳极，器件内部发出的光相继经过透明阳极、透明基板射出。采用这种方式制作的显示屏由于驱动电路和显示区域要同时制作在透明基板上，导致显示区域面积相对减小，显示屏的开口率降低。与普通的底发射器件相比，TEOLED由于其本身的结构特点，光可以从顶部电极射出，在AMOLED中，像素驱动电路、总线等可以制作在显示区域的下方，从而避免了驱动电路与显示区域互相竞争的问题，使得器件的开口率大大提高，进而实现显示屏的高分辨率。

顶发射AMOLED是平板显示技术的趋势，顶发射的OLED阴极大多采用厚度很薄的金属材料，这样才能实现半反半透的功能。如附图3所示，现有技术中由于在阴极与阴极电源线间部分分布的绝缘层通常为硅原料，其侧面与阴极电源线之间的夹角β在工艺上无法实现小角度，通常都大于70度，而且作为顶发射OLED器件，阴极厚度很薄，阴极从绝缘层向阴极电源线过渡区域过小，阴极与阴极电源线间的接触面易产生凹凸不平的情况，接触电阻将会很高。通常情况下，若阴极厚度为10～80nm，阴极与阴极电源线间的接触电阻甚至能达到兆欧级，而接触电阻如果超过10欧姆将导致从OLED流出的电流严重减少。

现有技术中，为了减少阴极与阴极电源线间的接触电阻，通常会采用以下方法解决：

方法一：增加阴极的厚度，这样可以增加接触面的平整度，从而降低接触电阻；

方法二：增加阴极和阴极电源线区域接触孔的数量或者增加接触孔的外表面面积。

但上述方法中，随着阴极厚度的增加，顶发射OLED的出光率严重降低，通常在顶发射OLED器件中不予采用；增加阴极和阴极电源线区域接触孔的数量或者增加接触孔的外表面面积的方法，如中国专利CN102544053A所述，具体为将接触孔设置为蛇形，有效增加了阴极和阴极电源线单位接触面积的周长，从而降低了接触面的接触电阻，但是这种设计工艺复杂，精度要求高，在实际生产操作中不易实现。

实用新型内容

为此，本实用新型所要解决的是顶发射OLED中降低阴极和阴极电源线接触电阻的方法影响出光率和工艺复杂不易实现的问题，提供一种阴极和阴极电源线接触电阻低的主动式OLED显示器件。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案如下：