[实用新型]气相处理装置

说明书

技术领域

本实用新型属于基底处理技术领域，具体涉及一种气相处理装置。

背景技术

气相处理装置是用于对基底(如玻璃基底、晶圆等)进行处理(如对基底上的结构进行刻蚀，或在基底上形成所需膜层结构等)的装置，其被广泛用于集成电路制造、显示装置(如液晶显示装置、OLED显示装置等)制造等领域。

根据具体处理原理的不同，气相处理装置可分为干法刻蚀装置、等离子体增强化学气相沉积装置、蒸镀装置、溅射装置、分子束外延生长装置、原子层沉积装置等类型。这些气相处理装置的共同点在于具有用于加工基底的处理腔室，在处理腔室中通入工艺气体后，可通过化学反应、粒子撞击等形式对基底进行处理；为了使处理腔室中工艺气体的成分、压力等条件保持稳定，故在处理过程中需要边通入工艺气体边从处理腔室中抽出工艺气体。

作为气相处理装置的一个具体例子，干法刻蚀装置的结构如图1、图2所示，其处理腔室9中具有用于承载基底的基台91，工艺气体从处理腔室9顶部的多个细小进气孔(孔数一般超过10万个，图中未示出)中均匀流向基台91，基台91四周设有与处理腔室9侧壁相连的隔板92，隔板92在处理腔室9的四角处设有抽气口5，隔板92下方设有多个开口93，每个开口93与一抽气泵6(如分子泵-干泵组件)相连通，从而抽气泵6可通过抽气口5对处理腔室9抽气。

当然，应当理解，图2只是示意性的表达了抽气泵6与开口93的连接关系，而不构成对抽气泵6具体位置的限定，抽气泵6也可通过连接管与开口93相连通。

其中，设置隔板92的目的在于避免与开口93直接相对处的工艺气体流量过大，使抽气量均匀，从而保证基底各位置处的处理效果(如刻蚀程度、成膜厚度等)的均匀性(因为基底各处的处理效果与流过该处的工艺气体流量相关)。隔板92还有在处理腔室9由大气状态转变为真空状态时防止抽气泵6抽气速度太快而引起基台91上的基底移位等作用。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：同一气相处理装置中的各台抽气泵的抽气能力可能有所不同(包括设备本身的差异、设备运行状态的差异、设备故障等原因)，而抽气泵抽气能力的差异会导致各抽气口处的气流速度、流量等产生差异，从而影响基底处理效果的均一性，降低产品质量。另外，抽气口简单设置于处理腔室四角，会造成四角工艺气体流量偏大，从而引起产品在该位置出现异常(如干法刻蚀设备中产品在该位置就经常会出现过刻)，影响产品质量。

实用新型内容

本实用新型的目的包括，针对现有的气相处理装置容易因为抽气泵抽气能力的差异及抽气口位置分布引起处理效果不均的问题，提供一种可保证处理效果均一性的气相处理装置。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案为一种气相处理装置，用于在气相环境下对处理腔室中的基底进行处理，所述气相处理装置包括：

处理腔室，包括多个设于不同位置的抽气口；

多个抽气泵，用于通过抽气口对处理腔室抽气；且至少有一个所述抽气泵通过多根抽气管分别与多个抽气口相连通。

其中，“抽气泵通过多根抽气管分别与多个抽气口相连通”是指该抽气泵与多根抽气管相连通，而这些抽气管分别连接多个抽气口；或者说，一个抽气泵通过抽气管同时对多个抽气口进行抽气。

优选的是，至少有一个抽气口通过多根抽气管与多个抽气泵相连通。

进一步优选的是，每个所述抽气泵均通过多根抽气管分别与所有的抽气口相连通。

优选的是，某一抽气泵通过多根抽气管与多个抽气口相连通，则与该抽气泵相连通的各抽气口对于该抽气泵的∑r⁴/L值相等；其中，r为一根与该抽气泵相连通的抽气管的内半径，L为该抽气管的长度，∑表示对连接在一个抽气口与该抽气泵间的全部抽气管的r⁴/L值进行求和。

优选的是，所述抽气管上设有流量控制器。

进一步优选的是，所述流量控制器位于处理腔室之外。

进一步优选的是，所述抽气管上还设有流量检测器。

进一步优选的是，所述流量检测器位于处理腔室之外。

优选的是，各所述抽气口围绕用于放置所述基底的位置周边均匀分布。

优选的是，所述气相处理装置为干法刻蚀装置、等离子体增强化学气相沉积装置、蒸镀装置、溅射装置、分子束外延生长装置、原子层沉积装置中的任意一种。