[实用新型]气相处理装置有效
申请号: | 201320090246.3 | 申请日: | 2013-02-27 |
公开(公告)号: | CN203112919U | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 张明;郑云友 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/22 | 分类号: | C23C14/22;C23C16/44;H01J37/305;H01J37/32;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗建民;邓伯英 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 相处 装置 | ||
1.一种气相处理装置,用于在气相环境下对处理腔室中的基底进行处理,所述气相处理装置包括:
处理腔室,包括多个设于不同位置的抽气口;
多个抽气泵,用于通过抽气口对处理腔室抽气;
其特征在于,
至少有一个所述抽气泵通过多根抽气管分别与多个抽气口相连通。
2.根据权利要求1所述的气相处理装置,其特征在于,
至少有一个抽气口通过多根抽气管与多个抽气泵相连通。
3.根据权利要求2所述的气相处理装置,其特征在于,
每个所述抽气泵均通过多根抽气管分别与所有的抽气口相连通。
4.根据权利要求1所述的气相处理装置,其特征在于,
某一抽气泵通过多根抽气管与多个抽气口相连通,则与该抽气泵相连通的各抽气口对于该抽气泵的∑r4/L值相等;其中,r为一根与该抽气泵相连通的抽气管的内半径,L为该抽气管的长度,∑表示对连接在一个抽气口与该抽气泵间的全部抽气管的r4/L值进行求和。
5.根据权利要求1所述的气相处理装置,其特征在于,
所述抽气管上设有流量控制器。
6.根据权利要求5所述的气相处理装置,其特征在于,
所述流量控制器位于处理腔室之外。
7.根据权利要求5所述的气相处理装置,其特征在于,
所述抽气管上还设有流量检测器。
8.根据权利要求7所述的气相处理装置,其特征在于,
所述流量检测器位于处理腔室之外。
9.根据权利要求1至8中任意一项所述的气相处理装置,其特征在于,
各所述抽气口围绕用于放置所述基底的位置周边均匀分布。
10.根据权利要求1至8中任意一项所述的气相处理装置,其特征在于,
所述气相处理装置为干法刻蚀装置、等离子体增强化学气相沉积装置、蒸镀装置、溅射装置、分子束外延生长装置、原子层沉积装置中的任意一种。
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