[实用新型]气相处理装置有效

专利信息
申请号: 201320090246.3 申请日: 2013-02-27
公开(公告)号: CN203112919U 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: 张明;郑云友 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: C23C14/22 分类号: C23C14/22;C23C16/44;H01J37/305;H01J37/32;H01L21/3065
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 罗建民;邓伯英
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 相处 装置
【权利要求书】:

1.一种气相处理装置,用于在气相环境下对处理腔室中的基底进行处理,所述气相处理装置包括:

处理腔室,包括多个设于不同位置的抽气口;

多个抽气泵,用于通过抽气口对处理腔室抽气;

其特征在于,

至少有一个所述抽气泵通过多根抽气管分别与多个抽气口相连通。

2.根据权利要求1所述的气相处理装置,其特征在于,

至少有一个抽气口通过多根抽气管与多个抽气泵相连通。

3.根据权利要求2所述的气相处理装置,其特征在于,

每个所述抽气泵均通过多根抽气管分别与所有的抽气口相连通。

4.根据权利要求1所述的气相处理装置,其特征在于,

某一抽气泵通过多根抽气管与多个抽气口相连通,则与该抽气泵相连通的各抽气口对于该抽气泵的∑r4/L值相等;其中,r为一根与该抽气泵相连通的抽气管的内半径,L为该抽气管的长度,∑表示对连接在一个抽气口与该抽气泵间的全部抽气管的r4/L值进行求和。

5.根据权利要求1所述的气相处理装置,其特征在于,

所述抽气管上设有流量控制器。

6.根据权利要求5所述的气相处理装置,其特征在于,

所述流量控制器位于处理腔室之外。

7.根据权利要求5所述的气相处理装置,其特征在于,

所述抽气管上还设有流量检测器。

8.根据权利要求7所述的气相处理装置,其特征在于,

所述流量检测器位于处理腔室之外。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的气相处理装置,其特征在于,

各所述抽气口围绕用于放置所述基底的位置周边均匀分布。

10.根据权利要求1至8中任意一项所述的气相处理装置,其特征在于,

所述气相处理装置为干法刻蚀装置、等离子体增强化学气相沉积装置、蒸镀装置、溅射装置、分子束外延生长装置、原子层沉积装置中的任意一种。

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